130纳米制程，又稱0.13微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于2000年至2001年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III Tualatin处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。...

在半导体产业中，2納米制程是在3纳米制程技術水準之后的下一个半导体制造制程。台积电和三星皆規劃於2025年量產，英特尔最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預計2024年量產。 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計2.1奈米製程將在2027年量產。...

7纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 在2015年7月，IBM宣佈以矽鍺製程做出第一個可運作的7纳米電晶體。台积电在2017年年中推出试验产品，並於2018年第2季首先量產第一代7纳米晶片。 第一個問世量產的7nm晶片是台積電製造的Apple A12 Bionic，用於2018年末推出的iPhone...

5纳米制程是半导体制造制程的一个水準。在半导体器件制造中，《國際器件和系統路線圖》將5納米工藝定義為繼7納米之後MOSFET的又一技術節點。商用5納米製程基於具有FinFET（鰭式場效應晶體管）的多閘極電晶體（MuGFET）技術，還有已得到證明的5納米GAAFET[錨點失效]（環繞柵場效應晶體管）...

180纳米制程，又稱0.18微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1999年至2000年左右达成。 这一制程是由当时领先的半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成的。 一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。 英特尔...

3奈米製程是半导体制造制程的一個水準，此技術必須使用EUV進行生產。甚至是高數值孔徑極紫外光。 國際裝置與系統發展路線圖（IRDS）在2017年曾預計3奈米製程將在2024年量產。 2017年9月29日，台積電宣布未來3奈米（nm）製程晶圓廠，落腳台灣台南市的南部科學工業園區，預計最快2022年量產...

14纳米制程是半导体制造制程的一个水準。最早的14纳米器件是由英特尔于2014年制造。在14纳米中，使用了多重图形曝光模式。 2014年9月，英特尔推出第一代14nm處理器，採用Broadwell微架構。 Shvets, Anthony. Intel launches first Broadwell...

10纳米制程是半导体制造制程的一个水準。 三星電子與聯發科在2017年推出10纳米器件，三星電子的Exynos 9 Octa 8895與高通的Snapdragon 835是首批量產供貨的10nm晶片產品，於第一季問世。 蘋果公司於2017年尾發表的Apple A10X（第二代iPad Pro）和Apple...

90纳米制程是半导体制造制程的一个水平，大约于2004年至2005年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔、AMD、英飞凌、德州仪器、IBM和台積電所完成。 许多厂商使用了193纳米的波长来进行关键层级的光刻。 此外，12英寸晶圓在这个制程上成为主流。 IBM PowerPC G5 970FX...

22纳米制程是半导体制造制程的一个等級。自2012年4月开始22纳米的消费级CPU产品推出。 相比先前的制程，自22纳米制程开始，沟道长度不再成为最为重要的因素。 台積電研發出了20nmFinFET製程後，將其更名為16nm製程；比較Apple A9晶片的表現，台積電16nm的省電性，確實明顯優於三星的14nm。...

32纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2010年开始，英特尔和AMD开始制造32纳米的芯片产品。 32纳米的后继制程是22纳米。 英特尔Westmere、Sandy Bridge處理器。 IEEE Spectrum: The High-k Solution. [2016-11-06]. （原始内容存档于2007-10-26）...

当时三星正处于由芯片制程技术28纳米晶片制程转向20纳米制程的研發瓶頸，而梁孟松對此主張三星放弃20纳米制程，直接由28纳米制程升级到14纳米制程。，一次完成三代四级跨越，後获成功；最后三星的14纳米制程量产时較台积电早约半年，而同時台积电推出的制程为16纳米。 梁孟松協助三星成功研发14纳米制程...

800纳米制程，又稱0.8微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1989年至1990年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 于1989年推出的Intel 80486CPU使用这个制程。 1992年推出的microSPARC I（英语：microSPARC I） 1993年推出的英特尔P5...

600纳米制程，又稱0.6微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1994年至1995年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 于1989年推出的Intel 80486DX4 CPU使用这个制程。 IBM/摩托罗拉 PowerPC 601 I 英特尔奔腾（Intel...

250纳米制程，又稱0.25微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1997年至1998年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 DEC Alpha 21264A AMD K6-2 英特尔Pentium II Deschutes 英特尔Pentium III Katmai...

2020年10月，在梁孟松与他的台籍团队主导下，以10纳米制程为芯动科技所产的芯片流片和功能测试一次通过，之前以同样制程为嘉楠科技供货的一款挖矿芯片也流片成功，并于底开始量产，中芯也成为继英特尔 、台积电、三星、之后，全球第4家能量产10纳米制程的芯片厂；同时也是迄今为止(2023年第4季)，世界上能量产10纳米制程...

65纳米制程是半导体制造制程的一个技術水平。至2007年，英特尔、AMD、IBM、聯華電子、特许半导体和台积电等公司已有能力进行65纳米制程的量產。 当制程进入65纳米之时，用于进行光刻的光的波长是193纳米和248纳米。具有低于光波波长的制造厂要求使用一些特殊技术，比如光学邻近校正和相位移掩膜板技...

350纳米制程，又稱0.35微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1995年至1996年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。 英特尔Pentium Pro、Pentium（P54CS，1995年）和最初的Pentium IICPU（Klamath，1997年）使用这个制程。...

45纳米制程是半导体制造制程的一个水平。自2007年后期，松下電器和英特尔开始大量制造45纳米的芯片产品。 芯片制造厂商使用High-k材料来填充栅极，目的是为了减少漏电。至2007年，IBM和英特尔宣布他们采用了金属栅极解决方案。 2020年，華為擬在上海建設不使用美國技術的晶片工廠，預期工廠將從低端45納米晶片做起。...

MP更高的效能，故在受伺服器歡迎。之後，130納米製程使到Gallatin可以有4MB的L3。 因為英特爾未能成功推行Itanium及Itanium 2處理器，故在2004年，90納米製程的Pentium 4處理器〔Prescott〕加入了64位元指令的支援，以及...

Socket 423 180納米製程 2000年推出 12級管線 256KB L2快取 第二代使用NetBurst架構的核心 Socket 478 2002年1月推出 130納米製程 20級管線 共有三個不同前置匯流排的版本 400 MHz 533 MHz 3.06GHz的處理器加入超線程技術 型號中一律加入B以分別...

制造过程在高度专业化的半導體製造廠中执行，也称为晶圆厂或“fabs”， 其核心部分是“洁净室”。在更先进的半导体器件（如现代14/10/7纳米节点）中，制造过程可能需要长达15週的时间，行业平均为11-13週。在先进的制造设施中，生产完全是自动化的，自动化材料处理系统负责从机器到机器的晶圆传送。...

1GHz超頻到1.3GHz等等。 接口：Slot-1 制程：250納米 电压：2.00伏特 指令集：MMX 外频：66MHz 倍频：4x、4.5x 赛扬系列的首次登场，当时只推出了266MHz和300MHz两个型号，其实就是0.25微米製程的Pentium...

1 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1985年至1986年左右达成。 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。这是第一个以CMOS为主的制程。 于1985年推出的Intel 80386CPU使用这个制程。 Mueller, S. Microprocessors from 1971...

Lake成功地從14納米轉移到10納米製程後，一些人認為英特爾將在10納米上發布Ice Lake。與此相反，洩漏消息指Ice Lake採用新的14納米++++製程，最终采用10纳米制程。 Ice Lake將成為第一個具有矽片內緩解功能的英特爾處理器，用於緩解2017年發現的硬件漏洞Meltdown/Spectre...

2GHz的Pentium 4。Northwood将二级缓存的大小从256KB增加到512KB（晶体管数量从4200万增加到5500万）并且使用130纳米制造工艺。使用更小晶体管制造的芯片能够在同样的速度产生更少的热量，或者工作在更高的时钟频率。不幸的是，对于许多用户来说，这个新的芯片不能用来升级...

念。而McKinley顯著的提升快取的等級而且讓安腾能夠與其他架構平起平坐。Madison則是藉由轉移到130奈米製程，能夠增加快取大小來克服主要效能的瓶頸。Montecito使用的是90奈米製程，允許實作雙核心並且在能源效率上取得進步。Montvale加入了3個新功能：Core-level lockstep、demand-based...

創新产业、高档数控机床和机器人、航空航天装备、海洋工程装备及高技术船舶、轨道交通装备、节能与新能源汽车、核能或可再生能源电力装备、农机信息整合系統、納米高新材料或模塊化建築及生物化學医药及高性能医疗器械。根据计划，预计到2025年，中国将达成从“制造大国”变身为“制造强国”的目标，而到2035年，中国的制造业将达成赶超德国和日本的目标。...

F Socket S1 核心代號 130納米： ClawHammer Newcastle 90納米： Winchester Venice San Diego Orleans Toledo（雙核心） Manchester（雙核心） Windsor（雙核心） 65納米： Brisbane（雙核心） 使用的處理器型號...

採用Tahiti的繪圖卡都有兩個BIOS，第二個BIOS貯存了較高的核心頻率，稱為「BOOST」，但初版的HD7970沒有此功能 採用 28 nm 制程 支援DirectX 12 。 採用 28 nm 制程 支持DirectX 12 1 統一渲染器數量 : 紋理對映單元（TMU）數量 : 渲染輸出單元（ROP）數量 2...

speed based on a FMA operation. 基于Zen 3微架构的桌面Ryzen 5000 CPU于2020年发布。它们采用改进的7纳米制造工艺。Ryzen 5000 CPU核心的代号为Vermeer。Threadripper 5000 CPU核心代号为Genesis。...