场效应管（英語：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。 它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为「单极性晶体管」，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管...

结型场效应管（JFET，英語：junction gate field-effect transistor）是单极场效应管中最简单的一种。它可以分n沟道（n-channel）或者p沟道（p-channel）两种。在下面的论述中主要以n沟道结型场效应管为例，在p沟道结型场效应管中n区和p区以及所有电压正负和电流方向正好颠倒過来。...

场效应管放大器（英語：FET amplifier）是一种使用场效应管（field-effect transistor (FET)）的放大器。在放大器应用中，场效应管的主要优点是它能提供非常高的输入阻抗以及低输出阻抗。...

金属半导体场效应管（英語：metal semiconductor field effect transistor, MESFET），简称金半场效应管，是一种在结构上与结型场效应管类似，不过它与后者的区别是这种场效应管并没有使用PN结作为其栅极，而是采用金属、半导体接触结，构成肖特基势垒的方式形成栅...

化学中的场效应（Field effect，记作 F）是指通过空间的分子内静电作用，即某取代基在空间产生一个电场，它对另一处的反应中心发生影响。场效应与诱导效应是相似的概念，因此常常较难区分，不过场效应是通过空间而非原子链产生的，故有些情况下可以通过选取有合适结构的有机分子，将这两种效应区分开来。...

鰭式場效電晶體（英語：Fin Field-Effect Transistor，簡稱：FinFET），是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的闸长。FinFET是一种立体的场效应管，屬於多閘極電晶體。 当晶体管的尺寸小于25纳米以下，传统的平面场效应管...

上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為通道長度調變效應（英语：channel length modulation）而改變，並非與VDS全然無關。考慮通道長度調變效應之後的飽和區電流—電壓關係式如下： I D...

DNA场效应晶体管（英語：DNA field-effect transistor，缩写为DNAFET）是一种场效应晶体管——使用DNA分子中部分电荷形成的场效应充当 生物传感器。DNAFET的结构类似于MOSFET的结构，不同之处在于栅极结构在DNAFET中被一层固定的ssDNA（单链DNA）分子...

浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管（Floating-gate MOSFET，简称浮栅MOSFET或FGMOS）是一种场效应晶体管，其结构类似传统的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET） 。FGMOS的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。在浮栅（floating...

在电子学中，共源极（英語：common-source）放大器是场效应管（field-effect transistor (FET)）放大器电路的三种基本组成方式之一（另外两种为共栅极和共漏极），通常被用在电压或跨导放大器中。辨识一个场效应管放大器电路是共源极、共栅极还是共漏极的简易方法为，检查信号输...

场效应管，源极连接在低电平的是N沟道场效应管。输入电路接在两个场效应管的栅极上，输出电路从两个场效应管的连接处接出。当输入低电平，则P沟道场效应管开通，N沟道场效应管关闭，输出高电平。当输入高电平，则N沟道场效应管开通，P沟道场效应管关闭，输出低电平。这就实现了“反相”输出。...

高电子迁移率晶体管（英語：High electron mobility transistor, HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場...

有机场效晶体管（英語：Organic field-effect transistor，縮寫：OFET）是一种利用有机半导体组成信道的场效应晶体管。OFET的原料分子通常是含有芳环的π电子共轭体系。OFET的制造工艺有小分子在真空中蒸发、聚合物溶液浇注、将原料单晶剥离至基板等方法。OFET的应用目标包...

短沟道效应（英語：short-channel effects）是当金属氧化物半导体场效应管的导电沟道长度降低到十几纳米、甚至几纳米量级时，晶体管出现的一些效应。这些效应主要包括阈值电压随着沟道长度降低而降低、漏致势垒降低（英语：Drain-induced barrier...

TEGFET（英語：two-dimensional electrongas field effect transistor，缩写：TEGFET） 二维电子砷化镓场效应晶体管 高性能二维电子砷化镓场效应管通常应用于微波和高速逻辑电路应用 Template:Two-Dimensional Electron Gas Fet (TEGFET)，Nuyen...

氧化物薄膜晶体管（英語：oxide thin-film transistor (TFT)）是场效应管的一种特殊类型，这种技术把半导体有源层和介电质以薄膜的形式沉积在制成衬底上。氧化物薄膜晶体管和非晶硅薄膜晶体管的主要区别是电子通道的材料是氧化物而不是非晶硅。常用的衬底为二氧化硅。薄膜晶体管...

在电子学中，共漏极（英語：common-drain）放大器电路，是场效应管（field effect transistor (FET)）三种基本接法之一（另外两种分别是共源极和共栅极），常被用作电压跟随器。这种电路的栅极被用作输入端，源极充当输出端，而漏极作为公共端，电路因此得名。 辨識一個場...

需時間。因此其速度會超過飽和電子速率（英语：Velocity saturation）（最快會到飽和電子速率的三倍），會造成較快的场效应管或双极性晶体管切換。若一般的场效应管其閘極寬度小於100 nm時，此特性會很明顯。 此元件刻意造成速度過沖，並因此提昇其特性，因此稱為ballistic collection...

场效应管（field-effect transistor (FET)）放大器电路的三种基本接法之一（另外两种分别是共源极和共漏极）。共栅极电路通常被用在电流缓冲器或电压放大器中。这种接法的形式是，晶体管的源极充当输入端，漏极充当输出端，栅极则为公共端，电路也因此得名。 辨識一個場...

舍恩最出名的“成就”是于2001年11月发表的单分子场效应管。他称在两层金电极之间用含硫的有机物在金表面形成了自主装单分子层，该分子层表现出半导体场电效应，并以此制成单分子晶体管和场效应管，实现了电流的控制和增益。该“成果”是分子半导体的重大突破，突破了硅晶体管的尺寸限制，可延续摩尔定律，大幅缩小芯片体积...

场效应管，它是1959年由贝尔实验室的穆罕默德·阿塔拉（英语：Mohamed M. Atalla）和姜大元（英语：Dawon Kahng）发明的。自20世纪60年代以来，金属氧化物半导体场效应管的规模和小型化一直是半导体技术快速指数增长背后的主要因素。占晶体管总数99.9%的金属氧化物半导体场效应...

幾何二極體 双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor、BJT）- NPN或PNP 异质结双极性晶体管 達靈頓電晶體（Darlington transistor）- NPN或PNP 場效電晶體（Field effect transistor、FET） 结型场效应管（Junction...

包括电阻、电容、电感器、互感器、独立电压、电流源、依赖电源、传输线、开关，以及5种最常见的半导体器件：二极管、结型场效应管、双极性晶体管、金屬氧化物半導體場效電晶體和金属半导体场效应管。 Smartspice是精深研发的成果。其具竞争力的速度、高级的收敛性、高度的精确度以及强大的预/后处理能力的特...

OLED（有机发光二极管）由在电流刺激下发光的有机材料薄膜组成。 典型的OLED由阳极，阴极，OLED有机材料和导电层组成。 有机场效应晶体管是利用有机分子或聚合物作为有源半导体层的场效应晶体管。 场效应晶体管（FET）是利用电场来控制一种电荷载流子的沟道形状从而改变其导电性的任何半导体材料。...

包括模拟电子技术和数字电子技术。电子技术是对电子信号进行处理的技术，处理的方式主要有：信号的发生、放大、滤波、转换。 半導體 二極體 双极性晶体管 场效应管 截波電路、箝位電路、穩壓電路 整流器 半波整流 全波整流 變壓器中間抽頭 橋式整流 倍壓器 濾波電路 低通滤波 高通滤波 带通滤波 带阻滤波 電晶體開關...

FET 可能指： 遠傳電信，FarEasTone Telecom 场效应管，Field Effect Transistor FET 內衣品牌。遠東紡織的一個內衣品牌，現由該集團旗下全家福股份有限公司經營...

场效应管来得到耗尽层（其中载流子被全部抽走，但仍然有离子化的施主或晶体缺陷）。当电压改变时，耗尽层深浅也发生变化。 该测量方法可以得到关于半导体掺杂，晶体缺陷之类的特性。 金属-氧化物-半导体结构是MOSFET的一部分，用来控制晶体管沟道中势垒的高低。...

此外，碳纳米管的熔点预计高达3652~3697℃。 平展的碳纳米管模型 稍卷曲的碳纳米管模型 卷曲的碳纳米管模型 严重卷曲的碳纳米管模型 碳纳米管上碳原子的P电子形成大范围的离域π键，由于共轭效应显著，碳纳米管具有一些特殊的电学性质。 常用矢量Ch表示碳纳米管上原子排列的方向，其中 C h = n a 1 + m...

模拟电子技术是一门研究对模拟信号进行处理的模拟电路的学科。它以半导体二极管、半导体三极管和场效应管为关键电子器件，包括功率放大电路、运算放大电路、反馈放大电路、信号运算与处理电路、信号产生电路、电源稳压电路等研究方向。 主要做为自动化/过程控制，通信等专业的基础课程。...

1947年12月，美国贝尔实验室的威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿组成的研究小组，研制出一种点接触型的锗晶体管。 晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET） 電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。...

压电电子效应 是利用压电电势作为“门”电压对电荷载流子的传输特性进行调整和控制，可以用于制备新型的电子器件。压电电子学的基本原理是由佐治亚理工学院的王中林教授在2007年提出来的。 基于这个效应，已经制备了一系列的电子器件，包括压电电场栅控的场效应晶体管, 压电电场控制的二极管, 应变传感器, 力/流量传感器...