アンチモン化インジウム（アンチモンかインジウム、indium antimonide）は、インジウムとアンチモンからなる組成式がInSbの半導体である。 アンチモン化インジウムの結晶構造は閃亜鉛鉱構造。 アンチモン化インジウムは、シリコンやヒ化ガリウム (GaAs) に比べて電子移動度が高いものの、バンドギャップが0...

アンチモン化合物及びこれを含有する製剤は硫化アンチモンなど一部の例外を除いて劇物に指定されている。 硫化アンチモン (Sb2S3) 三酸化アンチモン（アンチモン白）(Sb2O3) 五酸化アンチモン（英語版） (Sb2O5) 三塩化アンチモン（アンチモンバター）(SbCl3) アンチモン...

によって、閃亜鉛鉱の発光スペクトルの中に発見された。 酸化インジウム (In2O3) リン化インジウム (InP) ヒ化インジウム (InAs) アンチモン化インジウム (InSb) 右側の表の通り、自然界には質量数113のインジウムと質量数115のインジウムの2種が存在し、95%以上が質量数115のもので...

9である。 アンチモン化アルミニウムは、他のIII-V族材料と混晶を作ることができ、アンチモン化アルミニウムインジウム(AlInSb)、アンチモン化アルミニウムガリウム(AlGaSb)、アンチモン化アルミニウムヒ素(AlAsSb)等の三元混晶を形成する。 アンチモン化アルミニウムは、アンチモン化...

アンチモン化ガリウム(GaSb)とは、ガリウム(Ga)とアンチモン(Sb)から成る組成式がGaSbのIII-V族化合物半導体である。ガリウムアンチモンとも呼ばれる。格子定数は約0.61 nmである。 金属間化合物GaSbは、1926年に不活性ガス雰囲気下で直接元素を結合させたスイスの鉱物学者ヴィク...

長波長赤外（LWIR）帯域に対応：硫化鉛（PbS）に代えて、アンチモン化インジウム（InSb）素子を導入 IFFシステムの改良による同士討ちの防止 照準行程の自動化による応答時間の短縮 ロケット・モーターの大型化と誘導装置の改良による射程の延伸 などの改良点があった。 9K38...

化ガリウムは半導体材料として重要であり、リン化ガリウムは発光ダイオードの材料として利用されるなど、重要な半導体特性を有する。リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、アンチモン化ガリウムはいずれも金属ガリウムとリン、ヒ素、アンチモンとの直接反応によって合成され、これらは窒化ガリウム...

ヒ化インジウムはヒ化ガリウムと似て直接遷移金属である。リン化インジウムとともに用いられることもある。ヒ化ガリウムと合金を作り、ヒ化インジウムガリウムとなる。バンドギャップはIn/Ga比に依存し、窒化インジウムと窒化ガリウムから窒化インジウムガリウムの合金を作るのと同じ方法で作られる。 ヒ化インジウム...

の変化として可視化することができる。また、暗闇でも感光する。赤外線カメラで撮影された画像がサーモグラフィである。 量子型 アンチモン化インジウム、テルル化カドミウム水銀、セレン化鉛等の、禁制帯幅の狭い化合物半導体の赤外線撮像素子を使用する。それらはショット雑音の影響を除くために極低温に冷却される。 非冷却型...

またAIM-9Gは部分的に半導体素子化されていたが、1972年には、更にその範囲を拡大したAIM-9Hの艦隊配備が開始された。このモデルでは、翼をダブルデルタ化するとともに、シーカーの追尾角速度も増強した。なおAIM-9Hでは、アンチモン化インジウム（InSb）を用いた赤外線センサの導入も検...

アンチモン化インジウム（InSb）焦電素子によるパッシブ赤外線ホーミングを採用している。 一般に公開されたのは、1994年のファーンボロー国際航空ショーが最初とされている。これをライセンス生産したパキスタンのAnza Mk-2により、イン...

窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている（かつては1.97...

PL-5A セミアクティブレーダー誘導型、実用化されず。 PL-5B 初期型。AIM-9Gを模倣したもので、前翼の形状などが酷似している。赤外線誘導方式。1986年開発完了。 PL-5C 改良型。 PL-5E 冷却型のアンチモン化インジウム（InSb）を利用したデュアルバンド・シーカーを用い...

が含まれる。これらの酸化物に対応した硫化物、セレン化物およびテルル化物も存在する。 セシウムは他のアルカリ金属や金と合金をつくり、水銀とアマルガムをつくる。650 °C以下では、コバルト、鉄、モリブデン、白金、タンタル、タングステンとも合金をつくる。アンチモン、ガリウム、インジウム、トリウム...

ヒ化ガリウム(GaAs) 直接遷移の代表的な半導体であり、発光ダイオードやレーザーダイオードに利用されている。 窒化ガリウム(GaN) アンチモン化ガリウム(GaSb) リン化インジウム(InP) ヒ化インジウム(InAs) ヒ化インジウムガリウム(InGaAs) アンチモン化インジウム(InSb)...

ルティエ素子による熱電効果を利用したものから、窒素によるジュール＝トムソン効果を利用したものに変更された。搭載されるMk.80シーカーは、アンチモン化インジウム（InSb）素子を使用しており、中赤外（MWIR）帯域に対応し、全方位交戦能力を実現している。ロックオン距離は8-12kmである。また、視...

ン化亜鉛、テルル化亜鉛（英語版））は電子材料や光学材料に用いられる。第15族元素との化合物（窒化亜鉛、リン化亜鉛、ヒ化亜鉛（英語版）、アンチモン化亜鉛（英語版））や水素化物（水素化亜鉛（英語版））、炭化物（炭化亜鉛）なども知られている。フッ化...

「MM事件」発生。午前7時頃、マリリン・モンローの熱狂的ファンである田中和道が「黄色いアサガオ」の種の幻覚作用により錯乱状態に陥り、目黒区の住宅街にて日本刀で通行人を斬りつけ、死傷者を出した後に自殺する。（小説『夢幻花』） 9月25日 - アンチモン化インジウム...

ウム(Al)・ガリウム(Ga)・インジウム(In)、V族元素としては窒素(N)・リン(P)・ヒ素(As)・アンチモン(Sb)がある。この他にホウ素(B)・タリウム(Tl)・ビスマス(Bi)もIII-V族半導体を構成する元素である。またV族元素として窒素を用いた窒化ガリウム(GaN)・窒化...

のケースでは、2006年2月に豊羽鉱山の採掘・操業が停止されたため、世界第1位の産出量であったインジウムの供給源を突然失った。 日本でも黒鉱ベルト（グリーン・タフ）と呼ばれる、鉛、亜鉛、バリウム、アンチモン、ビスマスを豊富に含む鉱床が存在するが、硫化鉱と諸金属からの分離に手間がかかるために、従来は費...

なお、これは積極的な合成法ではないものの、シェーレグリーンと呼ばれる顔料を、カビやバクテリアが分解すると、アルシンが発生し得る。 ヒ化ガリウム（GaAs）やヒ化インジウム（InAs）等の化合物半導体の原料として重要である。アルシンを原料としての半導体製造においては、有機金属気相成長法（MOCVD）や...

単体のビスマスと他の金属（カドミウム、錫、鉛、インジウムなど）との合金は、それぞれの金属単体より低い融点となる。このため、鉛フリーはんだに添加されたり、あるいはより低温で溶けるウッド合金のような低融点合金に使われる。また、ビスマスは大きな熱電効果を示す物質であり、特にテルルとの合金は熱電変換素子として実用化されている。...

リン化ガリウム）や伝導体（e.g. リン化タンタル）となる。 K4P3 で見られる P34− と、K5P4 で見られる P45− の2種のポリリン化物イオンは両方とも価電子が奇数個で、常磁性のラジカルアニオンである。 リン化アルミニウム、AlP リン化インジウム、InP リン化カルシウム、Ca3P2...

り、決定的な定義や分類基準は存在せず、様々な方法によって分類が試みられている。 一般的にはホウ素、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン、テルルの6元素が半金属とされ、セレン、ポロニウム、アスタチンの3元素がしばしば加えられる。炭素やリンなどは通常半金属とはされないものの、その同素体にはグラファイト...

μmの長波長の赤外線を検出波長帯とする熱型。それぞれの検出波長帯は、大気による赤外線の減衰が小さい波長帯にあたり、量子型は検出素子にInSb（インジウムアンチモン）、InAs（ヒ化インジウム）などを使い、熱型はマイクロボロメータを使っている。非接触式の温度計としては代表的なものとして、赤外線サーモグラフィがある。 熱電対...

クパライト（英語版）(Cupalite) フンチュン鉱 (Hunchunite) 自然チタン (Titanium) 自然カドミウム (Cadmium) 自然亜鉛 (Zinc) ツァンヘン鉱 (Zhanghengite) ダンバ鉱 (Danbaite) 自然インジウム (Indium) 自然錫 (Tin) ユァンジャン鉱 (Yuanjiangite)...

^ 村田智吉「次世代技術利用金属の土壌環境中における影響の解明」『国環研ニュース』第22巻第3号、国立環境研究所、2003年。  （鉛・アンチモン・インジウムは同様に土壌微生物への有毒性を示すことを報告している） ^ 中西準子　部門長退任および文化功労者顕彰記念講演（YouTube） ^ “錫ウィスカ、その実在と複雑さ”...

1994年、ヒ化ガリウムとヒ化インジウムを毒物から普通物に変更。 半導体産業でよく使用される物質である。 1995年、ヒドラジン、メチルホスホン酸ジクロリドを毒物に、高濃度ギ酸、メチルホスホン酸ジメチルを劇物に指定。 メチルホスホン酸誘導体はサリン事件の影響。 1998年、アジ化ナトリウムを毒物に指定。...

同じ目的に用いられるその他の化合物には、アンチモン化インジウム (InSb) や テルル化カドミウム水銀 (HgCdTe)があり、より長波長の赤外線の検出については、これらの方がやや優れている。 高い誘電率のため、ケイ素、ゲルマニウム、InSb、HgCdTeと比較して、検出器としての動作は遅い。...

一般に流通している金属スズの純度は99.8%であり、不純物として少量のビスマス、アンチモン、鉛および銀が含まれている。これらの不純物元素はβスズがαスズへと転移するのを抑制する働きがある。また、銅、アンチモン、ビスマス、カドミウム、銀などと合金を形成し、スズの硬度を向上させる。スズは硬く脆い金属間化合物...

六フッ化テルル (TeF6) 四塩化テルル (TeCl4) 四臭化テルル (TeBr4) 四ヨウ化テルル (TeI4) テルル化水素 (H2Te) テルル化カドミウム (CdTe) 硫化テルル (TeS2) テルリド (R2Te) 三テルル化二ビスマス (Bi2Te3) 三テルル化二アンチモン (Sb2Te3)...