掺（chān）杂（英語：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本質半導體引入杂质，使之电气属性被改变的过程。此杂质称为掺杂剂（dopant）或掺杂物，而引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。...

杂质半导体（英語：extrinsic semiconductor）又称外质半导体、非本征半导体，是掺杂了杂质的半导体，即在本征半导体中加入掺杂物，使得其电学性质较无杂质半导体发生了改变，其电荷载流子浓度取决于杂质或其他缺陷。 杂质半导体一般分为含n型或p型的杂质，在一定条件下（例如加热），可迫使其标...

掺（chān）杂或搀杂可以指： 掺杂 (半导体)（Doping），在半导体裡添加適量的特定杂质，以達到所需的特性。 掺假（adulteration），在用品裡特别是食物中掺杂不合理的化学成分。...

半導體（德語：Halbleiter, 英語：Semiconductor, 法語：Semi-conducteur），是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质或材料。半导体在某个温度范围内，随温度升高而增加电荷载流子的浓度，使得电导率上升、电阻率下降；在绝对零度时，成为绝缘体。依有无加入掺杂剂，半导体...

简并半导体（英語：degenerate semiconductor，香港作簡並半導體，台湾作退化半導體、退化態半導體、過半半導體）。是杂质半导体的一种，它具有较高的掺杂浓度，因而它表现得更接近金属。 退化態半導體(Degenerate semiconductors): 高摻雜 高的電子或電洞濃度 依循包利不相容原理(Pauli's...

半导体材料组成的P层和由N型半导体材料组成的N层中间，插入一层低掺杂的纯度接近于本征半导体材料组成的I层。如果I层材料为低掺杂的P型半导体，则该二极管可称为π型PIN二极管；如果I层材料为低掺杂的N型半导体，则该二极管可称为ν型PIN二极管。在PIN型二极管中，P层和N层通常由高掺杂的半导体...

HEMT），也称调制掺杂场效应管（modulation-doped FET, MODFET）是场效应電晶體的一种，它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结，为载流子提供通道，而不像金屬氧化物半導體場效電晶體那样，直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体...

一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn接面、p-n接面（p-n junction）。pn接面是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 1948年，威廉·肖克利的論文《半導體...

本徵半導體（英語：intrinsic semiconductor）又稱本質半導體、無雜質半導體、純半導體、I型半導體，是指没有外掺杂（未摻入雜質）且晶格完整的纯净晶体半导体，其参与导电的自由电子（带负电荷的载流子）和空穴（电洞，带正电荷的载流子）的浓度相等且处于平衡状态。此处“本征”表明能显示此半导体物质本身的特征。...

施主（英語：donor）又稱施子、施体、施主雜質，是N型半導體中所摻雜入的五價原子，如：磷、砷、銻。換句話說，本質半導體摻雜入施體元素後就會變成N型半導體。 受主 (半导体) PN结...

分離的電子傳導層。雖然這種典型的機制很重要，不過與無機非晶半導體、隧道、局部狀態、流動性缺口（英语：mobility gaps），和声子也能協助躍遷大大的有助於傳導，特別是在聚乙炔。如同無機半導體一樣，有機半導體可以掺杂。有機半導體容易摻雜如聚苯胺（歐明創）和PEDOT:PSS（英语：PEDOT:PSS），因此也被稱為有機金屬。...

者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。:95 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN電晶體為例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区...

半导体器件制造是用于制造半导体器件的过程，通常是集成电路（IC），如计算机处理器、微控制器和存储芯片（如NAND闪存和DRAM），这些器件存在于日常电子设备中。半導體製程分為前段製程及後段製程，是一个多步光刻和物理化学过程（包括热氧化、薄膜沉积、离子注入、蚀刻等步骤）。在此过程中，电子电路逐渐在晶...

掺杂密度来减小势垒高度差。高掺杂区依据掺杂种类被称为 n + {\displaystyle n^{+}} 或者 p + {\displaystyle p^{+}} 。因为在隧穿中透射系数与粒子质量指数相关，低有效质量的半导体更容易被解除。另外，小禁带半导体更容易形成欧姆接触因为它们的电子亲和度（从而势垒高度）更低。...

掺杂超晶格：在同一种半导体中，用交替地改变掺杂类型的方法获得的新型人造周期性结构的半导体材料。 掺杂超晶格的优点：任何一种半导体材料只要很好控制掺杂类型都可以做成超晶格；多层结构的完整性非常好，由于掺杂量一般比较小，杂质引起的晶格畸变也较小，掺杂超晶格中没有像组分超晶格那样明显的异质界面；掺杂...

砷化鎘是一種灰黑色的半導體材料，分子式為Cd3As2。它的能隙有0.14eV，与其他半導體相比较窄。 结晶构造为四方晶系。常温下的电子迁移率很大，为N型半导体，被作为无定形半导体使用。 砷化镉具有能斯特效应，在远红外线传感器及压力传感器中被使用。它也可以用来制造磁阻和光电探测器。 可作为碲化镉汞中的掺杂剂，但是砷化镉和碲化镉汞皆有毒，对环境不友好。...

横向扩散金属氧化物半导体（英語：Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，缩写：LDMOS）经常被用于微波/射频电路，制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器，原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要...

半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺...

受體（英語：acceptor）又稱受子、受体、受主雜質，是P型半導體中所摻雜入的三價原子，如：硼、鋁、鎵、銦。換句話說，本質半導體摻雜入受體元素後就會變成P型半導體。...

磷化鎵（GaP）是鎵的磷化物，是無機化合物，也是半導體材料，其間接能隙為2.26eV（300K）。其多晶的材料為淡橙色。未摻入雜質的單晶晶片會是透明的橙色，但大量摻入雜質的晶片因為吸收自由電子，其顏色會變深。磷化鎵無味，不會溶於水。 若要變成N型半導體，需要掺杂硫或是碲，若要製作P型半導體，需要掺杂鋅。 磷化鎵常用在光學系統中，其折射率在波長262 nm...

n通道结型场效应管由一个被一个p型掺杂（阻碍层）环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极（也称漏极，来自英语Drain，因此也称D极）和源极（来自英语Source，因此也称S极）。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有閘极（也称栅极，来自英语Gate，因此也成...

扩散电流在半导体中因载流子（空穴或自由电子）扩散作用引起的电流。 半导体中的扩散电流可以与由于电场形成的漂移电流同向或者反向。在一个平衡状态的PN结中，耗尽层的正向扩散电流和反向扩散电流平衡，因而净电流为零。可以用漂移–扩散方程来统一描述扩散电流和漂移电流。 掺杂材料的扩散常数可以通过Haynes–Shockley...

並非所有的金属-半导体接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金属-半导体接面則稱為欧姆接触。整流属性決定於金属的功函、固有半导体的能隙，以及半导体的掺杂類型及浓度。在設計半导体器件時需要對肖特基效应相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基势垒。 肖特基势垒命名自德國物理學家華特·蕭特基（Walter...

半导体硅片作为反应区，或者沟道。 大部分的不常见体材料，主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。 掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，漏和源可能被掺杂...

优异，对有机醇、酮、酸、酯、芳香烃、氯代烃以及无机酸、碱、盐均稳定。溶于氯代联苯，不溶于170 °C以下的大多数溶剂。自身是绝缘体，但氧化或掺杂后可成为半导体。 由对二氯苯和硫化钠在N-甲基吡咯烷酮或含碱金属羧酸盐（如乙酸钠）的有机性溶剂中缩聚而得。2010年，旭光資源為中國產能最大PPS樹脂生產商之一。...

金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，縮寫：MOSFET），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為电子占多数的...

Diode，縮寫：OLED）又稱有機電激發光顯示（英語：Organic Electroluminescence Display，縮寫：OELD）、有機發光半導體，OLED技术最早于1950年代和1960年代由法国人和美国人研制，其后由美國柯達及英國劍橋大學加以演進，日本SONY及韓國三星和LG等公司于21世纪开始量產。...

这些技术要求包括性能、尺寸和制造可行性。在版图图形中，不同颜色图形形状可以分别代表金属、二氧化硅或组成集成电路组件的其他半导体层。同时，版图可以提供导体、隔离层、接触、通孔、掺杂注入层等方面的信息。:22 生成的版图必须经过一系列被称为物理验证的检查流程。设计人员必须使版图满足制造工艺、设计流程和...

硼酸甲酯是无色易燃易挥发的液体，易溶于有机溶剂。 作为气相色谱法的衍生试剂。如分析碳水化合物。 合成硼氢化钠和硼氢化钾的中间体。 用于棉花和木材的阻燃处理。 在半导体工业中用于半导体掺杂源和硼扩散源。也用于高纯硼的制备。 作为溶剂和催化剂。 硼酸三甲酯可由硼酸或三氧化二硼和甲醇反应得到。 王維中; 陳炳宏. 以硼酸和甲醇製備硼酸三甲酯之研究...

无法呈现出图像。在第二次世界大战中交战各国对热成像仪的军事用途表现出了兴趣，对其进行了零星的研究和小规模应用。1952年，锑化铟开发出来，这种新的半导体材料促进了红外线热成像仪进一步发展。不久之后，德州仪器公司开发出了具有实用价值的前视红外线（Forward looking...

聚对亚苯（Poly(p-phenylene)，PPP）是刚性棒状聚合物类導電聚合物的前体。氧化或加入掺杂物可以将非导电形式转化成半导体。 （英文）刚性棒状聚合物主体 （页面存档备份，存于互联网档案馆）...