磁阻效應（英語：Magnetoresistance，簡稱MR），是指材料的電阻隨著外加磁場之變化而改變的效應，其物理量的定義，是在有無磁場下的電阻差除上原先電阻，用以代表電阻變化率。有多種可以稱為磁阻的效應：一些發生在大量非磁性金屬和半導體中，例如幾何磁阻，舒勃尼科夫-德哈斯振盪或金屬中常見的正磁阻...

巨磁阻效应（英語：Giant Magnetoresistance，缩写：GMR）是一种量子力学和凝聚体物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。2007年诺贝尔物理学奖被授予发现巨磁阻效应（GMR）的彼得·格林贝格和艾尔伯·费尔。...

超巨磁阻效應，又稱龐磁阻效應（英語：Colossal magnetoresistance，簡稱CMR）是一種凝聚体物理學現象，是指材料（如La1-xCaxMnO3、La1-xSrxMnO3等）在磁場中，電阻會發生顯著下降的現象。 超巨磁阻效應存在於具有鈣鈦礦（Perovskite（英语：Perov...

（页面存档备份，存于互联网档案馆）网站： 1955年，磁芯記憶體具有与MRAM相同的读写原理。 1984年 - 巨磁阻效应 （页面存档备份，存于互联网档案馆）的发现 1988年 - 欧洲科学家（阿尔贝·费尔和彼得·格林贝格）发现了薄膜结构中的“巨磁阻效应”。 1995年 - 摩托罗拉（后来成为飞思卡尔）开始了MRAM开发工作...

隧道磁阻（英語：TMR, Tunnel Magnetoresistance），又稱穿隧磁阻，是发生在磁隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）中的磁阻效应，由一个薄绝缘体及被其隔开的两个铁磁体组成的组件。绝缘层足够薄（通常为几纳米）的情况下，电子可以从一个铁磁体隧穿过去...

彼得·安德烈亚斯·格林贝格（德語：Peter Andreas Grünberg，1939年5月18日—2018年4月7日），德国物理学家，主要研究固態物理学，因发现巨磁阻效應与阿尔贝·费尔共同获得2007年诺贝尔物理学奖。 格林贝格生於蘇台德地區比爾森，1946年和他的父母被驱逐出捷克斯洛伐克后，生活在德国黑森州的劳特...

其電阻會隨磁場有拋物線的變化。磁阻的電阻隨磁場的變化稱為磁阻效应。可以建立磁阻結構，使其電阻變成施加磁場的函數。此結構可以用作磁感測器。一般而言，這些電阻會配置成電橋的組態，以補償溫度漂移的影響。 常見以磁阻效应為基礎的感測器有：異向性磁阻感測器（Anisotropic Magneto Resistance、AMR）、巨磁阻感測器（Giant...

Fert，1938年3月7日—），法国物理学家，2007年以巨磁阻效應与彼得·格林贝格共同获得诺贝尔物理学奖。 艾尔伯·费尔於1962年畢業於巴黎高等師範學院。他之後在巴黎第十一大学獲得了博士學位。 1988年，法國艾尔伯·费尔和德國彼得·格林貝格同時並獨立地發現巨磁阻效應（GMR）。這一發現被公認為自旋電子學誕生，...

透磁合金 ，又称坡莫合金是镍铁的磁合金。通常指，20%铁和80%镍的合金。透磁合金有高磁导率，低矫顽力，接近0的磁力控制，和明显的各向异性的磁阻效应。当不定的压力在薄膜上很可能对电磁特性引起毁灭性的改变，其低磁力控制则在工业应用上具有决定性的意义。透磁合金的电阻率通常由于强度和所施加磁场的方向的因...

內藏式永磁馬達简称 IPM，其在轉子內側装有永久磁鐵，由于磁鐵受到轉子的保護，在高速運轉時电机不會出现磁鐵脫落的問題，但轉子需设有空洞用于置入磁鐵。此外，由于轉子的材質為矽鋼，磁导率遠高於磁鐵，因此磁鐵部份可視為一個額外的氣隙，轉子和定子間的氣隙會产生周期性的變化（即凸極效應），因此產生的轉矩中有磁阻轉矩成份，其效率較高。...

磁金属中注入到普通金属，和独立地由阿尔贝·费尔（Albert Fert）等人，和彼得·格林贝格（Peter Grünberg）等人于1988年发现的巨磁阻效应。自旋电子学的起源可以追溯到Meservey和Tedrow开创的铁磁/超导隧道实验以及Julliere在1970年代对磁隧道结的初步实验。...

吉布斯-唐南效應：化學 集膚效應：電子學 記憶效應：化學 偕二甲基效應：化學動力學 焦耳-湯姆孫效應：熱力學 間離效果：戲劇 近藤效應：凝聚體物理學 薑-泰勒效應：配位化學 巨磁阻效應：量子力學 涓滴效應：經濟學 加速器效應（英语：Accelerator effect）：經濟學 卡皮查-狄拉克效應：量子力學...

阻器聯繫起來。但目前仍然有專家認為，這些實作出的電路，並不是真正的憶阻器。 在蔡少棠教授1971年的论文中，他外推了对称的非线性电阻（电压与电流），非线性电容器（电压与电荷），和非线性电感（磁通量与电流）之间的概念，并推断出忆阻器作为一个类似于基本的非线性电路元件的，连接磁...

10^{14}/\mathrm {m} ^{2}} 另外，通过施加不同方向的磁场并测量振荡周期，舒勃尼科夫-德哈斯效应还能用于构建样品电子费米面的图像。 德哈斯-范阿尔芬效应 磁阻效应 由于样品中的缺陷会影响费米能 EF 的位置，此处严格来讲只是一个近似。之后的推导过程也完全忽略缺陷的影响。 边缘通道的数量...

plasmon resonance），磁性材料的超顺磁性，400纳米金环，当外加磁场时，金环产生震荡电阻，这种现象称作磁阻效应，而这种效应明显和环的小尺寸有关。 类固体和软的纳米颗粒也被制造出来。脂质体是典型的具有类固体特性的纳米颗粒。 由于在生物医学，光学和电子等领域有多种潜...

霍尔效应传感器透過電感器，將磁場變化的資訊傳換為電壓。光電耦合元件中的光源壽命是有限的，而霍尔效应传感器無此問題，霍尔效应传感器也不用像變壓器一樣要考慮直流電壓平衡的問題。 磁耦合器（Magnetocouplers）利用了巨磁阻效应（GMR）將交流訊號轉換為直流訊號。...

从20世纪至今，磁存储技术迅速发展，巨磁阻现象和垂直写入技术仍是目前磁学领域的最尖端课题。 追根究柢，磁有兩種源頭： 電流是一群移動的電荷。電流或移動的電荷，會在周圍產生磁場。 很多種粒子具有內秉的磁矩──自旋磁矩。這些磁矩，會在四週產生磁場。...

授和副教授。他自2007年7月起担任正教授。2010年，沈顺清获得裘槎优秀科研者奖。 沈顺清早年研究高温超导体、量子霍耳效应、巨磁阻效应等。后来他与合作者共同发现了共振自旋霍尔效应。此外，他还提出了拓扑安德森绝缘体。2012年他出版了英文专著《拓扑绝缘体》（Topological Insulators）。...

效应通常仅发生在纳米尺度的器件中。 自旋转移矩效应可用于翻转磁阻式隨機存取記憶體中的有源元件。自旋转移矩磁阻式隨機存取記憶體（STT-RAM或STT-MRAM）是一种非易失性存储器，与SRAM和DRAM等基于电荷的存储器相比，其漏电功耗接近于零，这是它的主要优点。与传统的用磁场来翻转载流子的磁阻...

磁向量勢並不是唯一定義的；其數值是相對的，相對於某設定數值。因此，學者會疑問到底儲存了多少動量？不論如何，磁向量勢確實具有實際意義。尤其是在量子力學裏，於1959年，阿哈諾夫－波姆效應闡明，假設一個帶電粒子移動經過某零電場、零磁場、非零磁...

用多组传感器，磁铁的相关位置可被推断出。通过导体的电流会产生一个随电流变化的磁场，并且霍尔效应传感器可以在不干扰电流情况下而测量电流，典型的構造为将其和绕组磁芯或在被测导体旁的永磁体合成一体。 通常，霍尔效应传感器和电路相连，从而允许设备以数字（开／关）模式操作，在这种情况下可以被称为开关。工业中...

磁單極子項目恆等於零，第一個項目是磁偶極子項、第二個項目是磁四極子（quadrupole）項，以此类推。磁矩也分為磁偶極矩、磁四極矩等等部分。從磁矩的磁偶極矩、磁四極矩等等，可以分別計算出磁場的磁偶極子項目、磁四極子項目等等。隨著距離的增遠，磁偶極矩部分會變得越加重要，成為主要項目，因此，磁...

利特尔-帕克斯效应被广泛地作为对庫柏對机制的一种证明，例如应用在对超导体-绝缘体转变（英语：Superconductor Insulator Transition）的研究中。这里的难点是如何将利特尔-帕克斯振荡和其他效应分离开。 需要指出的是，fluxoid（此处译为类磁...

14eV，与其他半導體相比较窄。 结晶构造为四方晶系。常温下的电子迁移率很大，为N型半导体，被作为无定形半导体使用。 砷化镉具有能斯特效应，在远红外线传感器及压力传感器中被使用。它也可以用来制造磁阻和光电探测器。 可作为碲化镉汞中的掺杂剂，但是砷化镉和碲化镉汞皆有毒，对环境不友好。 半導體 National Pollutant...

phase）。LSM作为锰系钙钛矿，研究表明其具有庞磁阻效应。当x=0.5和0.7时，LSM为铁磁有序结构，在x约0.3时为自旋半金属。 因为其自旋半金属性质，在自旋电子学领域有潜在运用。在居里温度以上LSM会形成姜-泰勒极化子（Jahn-Teller polaron），并由此产生电子电导。 固体氧化物燃料电池 隧道磁阻 Armstrong...

{M} } 称为“束缚磁荷”（虽然到目前为止尚未发现有单独的磁荷存在）。 如有区域存在自由电流，则可以从总的磁场中减去自由电流的贡献，利用磁标势方法求得剩余量。 在靜磁學裏，描述在源電流四周的另外一個很有用的工具是磁标势。由於磁标势是一個純量，不是向量，大多數時候，使用磁...

WPI 材料研究所高級研究所的教授。 1991年他发现TMR（隧道磁阻）效應（1975 年發現，但後來幾乎被遺忘）在室溫下也是可行的，1994年他的團隊發現了巨TMR效應。他主要研究磁性材料，尤其是自旋电子学的新材料。 2009年，他与Jagadeesh Moodera...

在具有抗磁性的物質裏，所有電子都已成對，內秉電子磁矩不能集成宏觀效應。抗磁性的機制是電子軌域運動，用經典物理理論解釋如下： 由於外磁場的作用，環繞著原子核的電子，其軌域運動產生的磁矩會做拉莫爾進動，從而產生額外電流與伴隨的額外磁矩。這額外磁矩與外磁場呈相反方向，抗拒外磁場的作用。由這機制所帶來的磁化率與溫度無關，以方程式表達為...

在電磁學裏，高斯磁定律闡明，磁場（B場）的散度等於零。因此，磁場是一個螺線向量場。從這事實，可以推斷磁單極子不存在。磁的基本實體是磁偶極子，而不是磁荷。當然，假若將來科學家發現有磁單極子存在，那麼，這定律就必須做適當的修改，如稍後論述。高斯磁定律是因德國物理學者卡爾·高斯而命名。 在物理學界，很多學者使用「高斯磁...

磁场（英語：magnetic field）是一向量場，其描述对于移动电荷、电流、磁性材料的磁影响（磁效应、磁作用）。在磁场中移动的电荷会受到垂直于其自身速度和垂直于磁场的力。 在電磁學裡，磁石、磁鐵、電流及時變電場，都會產生磁場。處於磁場中的磁性物質或電流，會因為磁場的作用而感受到磁力，因而顯示出...

电感式传感器 压电传感器 热电传感器 阻抗式传感器 磁电式传感器 光电式传感器 谐振式传感器 超声波传感器 同位素传感器 电化学传感器 微波传感器 按技术分类 超声波传感器、温度传感器、湿度传感器、气体传感器、压力传感器、加速度传感器、紫外线传感器、磁敏传感器、磁阻传感器、图像传感器、电量传感器、位移传感器...