Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение...

Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием...

лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. ИНДИЯ ФОСФИД в «Большой энциклопедии Кирилла и Мефодия» http://www.ioffe...

GaSb Арсенид галлия — GaAs Нитрид галлия — GaN Фосфид галлия — GaP Антимонид индия — InSb Арсенид индия — InAs Нитрид индия — InN Фосфид индия — InP...

соединения галлия типа AIIIBV: нитрид индия-галлия, арсенид индия-галлия, нитрид индия-галлия-алюминия, антимонид галлия, арсенид-фосфид галлия, арсенид-антимонид-фосфид...

превосходит арсенид галлия. Компонент ряда легкоплавких припоев и сплавов (так, жидкий при комнатной температуре галинстан содержит 21,5 % индия). Обладает...

шумы. Арсенид галлия обеспечивает приём волн длиной до 1,6 мкм, при этом имеют шумы меньшие, нежели у германиевых приборов. Обычно арсенид галлия используется...

микроболометры и полупроводниковые детекторы инфракрасного излучения из арсенид галлия-индия (InGaAs) и теллурид ртути-кадмия (MCT). См. также Эхолокация Принцип...

алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк. Для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, например, арсенида галлия донорными примесями...

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической...

чем структуры из фосфида галлия на арсениде галлия. Нитрид галлия Арсенид галлия Антимонид галлия Фосфид алюминия Фосфид индия Радауцан С. И., Максимов...

Джоном Ганном в 1963 году на арсениде галлия, затем явление осцилляций тока было обнаружено в фосфиде индия, фосфиде галлия и ряде других полупроводниковых...

полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH3)3Ga) и трифенилмышьяка...

диапазон, чем мультищелочного, от ультрафиолета до 930 нм. InGaAs (арсенид галлия-индия). Характеризуется улучшенной чувствительностью в инфракрасном диапазоне...

содержащий порядка нескольких процентов магнитных атомов. Арсенид индия (InAs) и арсенид галлия (GaAs), легированные марганцем (Mn), с температурой Кюри...

синтеза ряда полезных и важных полупроводниковых материалов — арсенидов (например, арсенида галлия) и других полупроводниковых материалов с кристаллической...

соединения; А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия); И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия); второй элемент — буквенный индекс...

технологий, включая арсенид-галлиевые (GaAs), нитрид галлиевые (GaN), кремниевая фотоника, арсенид алюминия-галлия (AlGaAs), фосфид индия (InP), кремний (Si)...

полностью на российской элементной базе на основе наногетероструктур арсенида галлия (GaAs) и передовых технологий антенных систем с электронным управлением...

рабочей части кристалла к металлическим электродам. Помимо арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия (InP, используется на частотах до 170 ГГц) при изготовлении...

предназначено для работы в 50-мной среде. МИС изготавливаются с использованием арсенида галлия (GaAs), дающего два основных преимущества перед традиционным кремнием...

Продукция: моно- и поликристаллический кремний, германий, арсениды и фосфиды галлия и индия, структуры и пластины на их основе. Производство твёрдых сплавов...

гетероструктур, например, таких, как нитрид галлия на сапфире, алюминий-галлий-фосфид индия (AlGaInP) на арсениде галлия (GaAs). Саранин А. А. Гетероэпитаксия  (неопр...

открыли технологию изготовления инфракрасного светодиода на основе арсенида галлия (GaAs). После получения патента в 1962 году началось их промышленное...

структура HEMT-транзистора в разрезе. На полуизолирующей подложке арсенида галлия (GaAs) выращивается нелегированный буферный слой GaAs. На нем наращивается...

кремниевые подложки, пластины с использованием нитрида галлия, арсенида галлия, карбида кремния, фосфида индия и нитрида алюминия); светодиоды и фотодиоды, силовые...

плёнки). Например, слой фосфида индия-галлия с шириной запрещённой зоны 1,9 эВ может быть выращен на пластине арсенида галлия с помощью метода промежуточного...

постоянным решёток таких соединений как антимонид алюминия, антимонид галлия, арсенид индия и сульфид свинца(II), что позволяет выращивать монокристаллические...

используются для создания полупроводниковых лазеров, такие как арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP). Используются различные системы материалов, поскольку...

промышленная технология молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках арсенида галлия и фосфида индия. Выращивание происходит в условиях высокого вакуума. Поток...

точек, выращенных этим методом, являются квантовые точки арсенида индия-галлия в арсениде галлия. Такие квантовые точки имеют потенциал для применения в...