• використовує ефект поля. Типовий МДН-транзистор складається з МД/ОН- структури (метал-діелектрик/оксид-напівпровідник, наприклад n-типу), та двох p-кишень...
    46 KB (4,947 words) - 12:50, 30 November 2023
  • 11 грудня 2013. Процитовано 12 грудня 2013. [Архівовано 2013-12-11 у Wayback Machine.] Польовий транзистор Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник...
    5 KB (352 words) - 12:30, 15 November 2024
  • Метал-Діелектрик-Напівпровідник МОН — метал — оскид — напівпровідник КМОН Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник Мікросхема Технологічний процес в електронній...
    15 KB (866 words) - 21:49, 27 November 2024
  • метал-оксид-напівпровідник, які можуть використовувати або область збагачення або область збіднення. Свою назву МДН-транзистор (метал-діелектрик-напівпровідник)...
    41 KB (2,587 words) - 22:05, 28 March 2024
  • напівпровідникового об'єму діелектриком. Прилади другого класу часто також називають МДН транзисторами (від словосполучення метал — діелектрик — напівпровідник) та МОН транзисторами...
    23 KB (1,567 words) - 08:34, 28 December 2023
  • епітаксія. Планарна технологія Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник Підкладка Технологія виробництва напівпровідників Структури кремній-на-ізоляторі...
    6 KB (398 words) - 08:13, 22 August 2023
  • Однак в транзисторі основними шумами є надлишкові — тепловий, дробовий і шуми поділу. Транзистор КТ315 Транзистор метал-діелектрик-напівпровідник Польовий...
    33 KB (2,074 words) - 12:59, 10 December 2023
  • N-МОН (метал-оксид-напівпровідник) логіка — технологія побудови логічних електронних схем, яка використовує МОН польові транзистори N-типу. Існує два типи...
    7 KB (520 words) - 16:46, 5 February 2024
  • Напівпровідники́ (англ. semiconductors) — матеріали, електропровідність яких має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Відрізняються...
    44 KB (2,823 words) - 16:17, 15 October 2024
  • КМОН-структура або КМОН-транзистор (комплементарна структура метал-оксид-напівпровідник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) —...
    32 KB (2,071 words) - 12:19, 7 August 2024
  • керувального електрода в масив напівпровідника. Натомість 29 грудня 1939 року Шоклі сформулював принцип роботи польового транзистора: струмом у каналі між двома...
    121 KB (7,852 words) - 10:57, 21 November 2023
  • 2 нм техпроцес (category Напівпровідники)
    У виробництві напівпровідників 2 нм процес є наступним МДН-транзистором (транзистором метал-діелектрик-напівпровідником), який наступним після 3 нм техпроцесу...
    15 KB (1,037 words) - 15:32, 23 November 2024
  • складається з одного конденсатора і одного транзистора. У конденсаторі DRAM-комірки використовується лінійний діелектрик, тоді як в конденсаторі FeRAM-комірки...
    12 KB (806 words) - 23:20, 21 December 2024
  • 1970-х.. Використання напівпровідників у спінтроніці можна відслідкувати до теоретичної пропозиції спінового польового транзистора Датти (англ. Datta) та...
    9 KB (567 words) - 07:38, 16 December 2024
  • інжекції зарядів у напівпровідник через контакт ґрунтується робота різноманітних напівпровідникових приладів, наприклад, біполярних транзисторів. Прикладене...
    27 KB (1,783 words) - 21:46, 23 December 2023
  • Мультизатворний польовий транзистор (MuGFET) або мультизатворний MOSFET відноситься до МДН транзисторів (польовий транзистор метал-оксид-напівпровідник), який має більше...
    54 KB (3,803 words) - 10:29, 23 January 2024
  • індуктивності. Додавання додаткових шарів металу (у сучасних процесах — близько 10 шарів), між шарами розташовують діелектрик (англ. inter-metal dielectric, IMD)...
    65 KB (4,395 words) - 23:36, 14 November 2024
  • результати при моделюванні МДН-транзисторів. 4. Густина зарядів, локалізованих на поверхні напівпровідника та в об'ємі діелектрика, не залежить від прикладеної...
    35 KB (3,803 words) - 17:49, 9 September 2023
  • Верхній затвор (графен) (category Фізика напівпровідників)
    діелектричний шар, а потім напилюють метал. В першій статті[прояснити] використовували як діелектрик SiO2. Вибір діелектрика може впливати на рухливість носіїв...
    3 KB (276 words) - 22:20, 18 January 2023
  • якості металуметал стає дуже крихким, погано піддається обробці. Гафній використовується в оптичних покриттях(інші мови) і як діелектрик з високою...
    9 KB (804 words) - 10:39, 8 December 2024
  • диференційну провідність). Ці явища дозволили сконструювати напівпровідникові елементи — діоди, транзистори, які поступово витіснили вакуумні прилади з більшості...
    63 KB (3,479 words) - 20:22, 31 January 2024
  • (так званий "high-K діелектрик"). Крім того, затвори транзисторів, що раніше формувалися з кремнію, почали виготовлятися з металу. Усі ці заходи дозволили...
    33 KB (1,937 words) - 23:42, 27 April 2024
  • Атомно-шарове осадження (category Технологія виробництва напівпровідників)
    підзатворних діелектриків, що використовуються у МДН польових транзисторах (наприклад, Al2O3, ZrO2, and HfO2). Найбільш вивченим кандидатом на такий діелектрик є...
    24 KB (1,649 words) - 19:29, 26 May 2022
  • метали та напівпровідники, оскільки вони суттєво відрізняються величиною концентрації носіїв, а також наявністю забороненої зони в напівпровідниках,...
    19 KB (1,607 words) - 07:29, 4 July 2023
  • контакти і необхідні з'єднання за схемою. Шари провідника, напівпровідника і діелектрика в сукупності утворюють структуру напівпровідникового приладу...
    26 KB (1,680 words) - 00:00, 16 December 2024
  • Бардін, В.-Г. Браттейн (американські фізики; 1956, відкриття транзистор. ефекту в напівпровідниках); М. Басов, О. Прохоров (радянські фізики), Ч.-Г. Таунс...
    63 KB (3,819 words) - 12:31, 19 April 2024
  • Перспективним є використання замість конденсаторів транзистор метал-діелектрик-напівпровідників. Реальні гармати Гаусса мають ККД трохи вище 20 %. Для...
    49 KB (3,355 words) - 16:09, 12 May 2024
  • надвисоких тисків. Синтетичний алмаз потенційно може використовуватися як напівпровідник, оскільки може легуватись домішками з бору і фосфору. Оскільки ці елементи...
    75 KB (5,631 words) - 06:06, 7 November 2024
  • за важливі експерименти з електропровідності і переходів між металами та діелектриками Лауреати-2006: Хабіба Бухамед Шаабуні (Туніс): за внесок у аналіз...
    34 KB (2,211 words) - 16:51, 9 November 2024
  • утворюють електричний струм, називають носіями струму: у металах це електрони, у напівпровідниках — електрони та дірки, в електролітах — позитивно та негативно...
    54 KB (3,556 words) - 12:13, 9 July 2024
  • основі графену: польові транзистори з балістичним транспортом, функціонуючі при кімнатній температурі, одноелектронний транзистор з графену, сонячні батареї...
    109 KB (6,557 words) - 10:33, 1 January 2025