Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния...
16 KB (528 words) - 17:15, 28 November 2024
Арсени́д га́ллия-и́ндия (иные названия: индия галлия арсенид, индия-галлия арсенид, арсенид индия-галлия, галлия индия арсенид и др.) — тройное соединение...
25 KB (1,003 words) - 11:45, 18 July 2024
Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием...
11 KB (437 words) - 07:25, 14 June 2022
соединения галлия типа AIIIBV: нитрид индия-галлия, арсенид индия-галлия, нитрид индия-галлия-алюминия, антимонид галлия, арсенид-фосфид галлия, арсенид-антимонид-фосфид...
65 KB (4,045 words) - 08:23, 14 August 2024
другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия, нитрид галлия, сплав КРТ (кадмий-ртуть-теллур), теллурид кадмия, теллурид...
59 KB (3,292 words) - 12:27, 9 August 2024
на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия). Плёночная интегральная микросхема — все элементы и межэлементные...
76 KB (4,076 words) - 00:59, 30 September 2024
(крутовит) NiAs2 Сперрилит PtAs2 Арсениды применяют в основном как полупроводниковые материалы, важнейший из них — арсенид галлия. Иногда применяют в качестве...
13 KB (915 words) - 07:36, 1 May 2024
прибор, в котором обычно используется слаболегированный кремний или арсенид галлия. Удельное сопротивление такого полупроводника мало зависит от напряжённости...
2 KB (81 words) - 12:53, 4 March 2023
открыли технологию изготовления инфракрасного светодиода на основе арсенида галлия (GaAs). После получения патента в 1962 году началось их промышленное...
63 KB (3,338 words) - 18:31, 26 August 2024
Диод Ганна традиционно представляет собой прямоугольную пластинку из арсенида галлия с омическими контактами с противоположных граней сторон. Активная часть...
19 KB (1,218 words) - 04:19, 25 January 2023
самостоятельно и в комбинации с цисплатином и блеомицином Формальдегид Арсенид галлия Растительные лекарственные средства, содержащие растительные виды рода...
16 KB (847 words) - 21:43, 6 April 2024
синтеза ряда полезных и важных полупроводниковых материалов — арсенидов (например, арсенида галлия) и других полупроводниковых материалов с кристаллической...
47 KB (2,939 words) - 08:33, 22 December 2024
ртути(II)) 3.02 Двулучепреломление: nω = 2.905 nε = 3.256 Кремний 1200 — 8500 3.42-3.48 Фосфид галлия 3.5 Арсенид галлия 3.927 Германий 3000 — 16000 4.05-4.1...
17 KB (938 words) - 10:40, 26 October 2024
Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической...
27 KB (1,476 words) - 06:26, 3 June 2024
полупроводников), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH3)3Ga) и трифенилмышьяка...
8 KB (478 words) - 12:28, 20 October 2024
с элементами V (пятой) группы таблицы Менделеева (например, GaAs — арсенид галлия) являются основой современной твердотельной электроники. Монокристаллы...
6 KB (293 words) - 10:25, 6 October 2024
GaaS: Арсенид галлия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка Games as a service (GaaS, Игры как услуга) — одна из форм предоставление доступа к...
327 bytes (66 words) - 14:26, 2 February 2019
образуются («трансмутируют») из атомов исходного вещества (кремний, арсенид галлия) в результате ядерных реакций, вызванных облучением исходного вещества...
10 KB (537 words) - 14:44, 26 April 2023
лазера на основе двойной гетероструктуры используют арсенид галлия (GaAs) и арсенид алюминия-галлия (AlGaAs). Каждое соединение двух таких различных полупроводников...
29 KB (1,753 words) - 16:45, 9 October 2022
шумы. Арсенид галлия обеспечивает приём волн длиной до 1,6 мкм, при этом имеют шумы меньшие, нежели у германиевых приборов. Обычно арсенид галлия используется...
18 KB (1,196 words) - 02:59, 27 March 2020
алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк. Для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, например, арсенида галлия донорными примесями...
3 KB (110 words) - 03:08, 14 September 2024
монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким...
38 KB (2,180 words) - 08:29, 10 December 2024
К или 2 — кремний или его соединения; А или 3 — соединения галлия (например, арсенид галлия); И или 4 — соединения индия (например, фосфид индия); второй...
58 KB (3,181 words) - 10:49, 18 November 2024
изменением импульса (прямой переход), называются прямозонными. Среди них — арсенид галлия. Чтобы прямые переходы при поглощении/испускании фотона с энергией ∼...
20 KB (1,078 words) - 23:26, 11 June 2024
более эффективны, чем структуры из фосфида галлия на арсениде галлия. Нитрид галлия Арсенид галлия Антимонид галлия Фосфид алюминия Фосфид индия Радауцан С...
10 KB (431 words) - 16:35, 22 August 2022
используется как один из самых высокочастотных полупроводников, он превосходит арсенид галлия. Компонент ряда легкоплавких припоев и сплавов (так, жидкий при комнатной...
33 KB (2,114 words) - 19:00, 5 September 2024
указывает на применённый полупроводниковый материал — кремний, германий, арсенид галлия и др. Другие материалы для транзисторов до недавнего времени не использовались...
79 KB (4,719 words) - 16:03, 8 November 2024
диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия. ИНДИЯ ФОСФИД в «Большой энциклопедии Кирилла и Мефодия» http://www...
3 KB (64 words) - 19:38, 17 September 2023
полупроводниковых лазеров, фотоприёмников). В гетероструктурах с арсенидом галлия — для изготовления сверхбыстродействующих транзисторов. При нормальных...
10 KB (408 words) - 18:10, 28 March 2022
Джоном Ганном в 1963 году на арсениде галлия, затем явление осцилляций тока было обнаружено в фосфиде индия, фосфиде галлия и ряде других полупроводниковых...
12 KB (954 words) - 23:44, 11 March 2023
которые используются для создания полупроводниковых лазеров, такие как арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP). Используются различные системы материалов...
49 KB (3,705 words) - 19:41, 13 September 2024