ممانعة مغناطيسية - ويكيبيديا

ممانعة مغناطيسية

معلومات عامة

التعريف الرياضي	${\displaystyle R_{\mathrm {m} }={\frac {U_{\mathrm {m} }}{\Psi }}}$[1]
نظام الوحدات الدولي	مقلوب هنري[2][1] ثانية مربعة أمبير مربع لكل كيلوغرام متر مربع[1]
التحليل البعدي	${\displaystyle {\mathsf {L}}^{-2}{\mathsf {M}}^{-1}{\mathsf {T}}^{2}{\mathsf {I}}^{2}}$

تعديل - تعديل مصدري - تعديل ويكي بيانات

الممانعة المغناطيسية^[3][4] أو ببساطة الممانعة^{[5][ملاحظة 1]} أو (بالإنجليزية: Reluctance)‏ وتُسمَّى أيضاً المقاومة المغناطيسية^[6] (بالإنجليزية: magnetic resistance)‏ في الدائرة المغناطيسية هي مكافئة للمقاومة في الدائرة الكهربية لذا تسمى أحيانا المقاومة المغناطيسية وإن كانت تختلف عنها في أنها لا تستنفد الطاقة المغناطيسية وكما أن المجال الكهربي ينتج تيار كهربي في الدائرة الكهربية كذلك بوجود المجال المغناطيسي ينتج تدفق مغناطيسي يمر في الدائرة المغناطيسية وهي كمية قياسية تمثل النسبة بين القوة المحركة المغناطيسية والتدفق المغناطيسي المار في الدائرة ويمكن تمثيلها رياضيا بصيغة توافق قانون أوم الكهربي كالتالي :

${\displaystyle {\mathfrak {R}}={\frac {\mathfrak {F}}{\Phi }}}$

حيث

${\displaystyle {\mathfrak {R}}}$ هي الممانعة المغناطيسية أمبير-لفة لكل ويبر

${\displaystyle {\mathfrak {F}}}$ هي القوة المحركة المغناطيسية

Φ هي التدفق المغناطيسي بالويبر

أو بصيغة أخرى

${\displaystyle {\mathfrak {R}}={\frac {l}{\mu _{0}\mu _{r}A}}}$

حيث :

l هو طول الدائرة متر

${\displaystyle \mu _{0}}$ هي نفاذية الفراغ وتساوي ${\displaystyle 4\pi \times 10^{-7}}$ هنري لكل متر

${\displaystyle \mu _{r}}$ النفاذية المغناطيسية للمادة

A هي مساحة مقطع الموصل متر مربع

ومقلوب الممانعة المغناطيسية هي المنافذة ووحدتها هي هنري.

${\displaystyle {\mathfrak {P}}={\frac {1}{\mathfrak {R}}}}$

وحدات الكهرومغناطيسية القياسية عدل
رمز الكمية	الكمية	الواحدة	رمز الواحدة	الأبعاد
I	التيار	أمبير (وحدات قياسية)	A	A
Q	شحنة كهربائية	كولوم	C	A·s
V	فرق الجهد	فولت	V	J/C = kg·m2·s−3·A−1
R، Z، X	مقاومة، معاوقة، مفاعلة بالترتيب	أوم	Ω	V/A = kg·m2·s−3·A−2
ρ	مقاومية	أوم متر	Ω·m	kg·m3·s−3·A−2
P	القدرة الكهربائية	واط	W	V·A = kg·m2·s−3
C	سعة كهربائية	فاراد	F	C/V = kg−1·m−2·A2·s4
${\displaystyle F^{-1}}$	مرانة	مقلوب الفاراد	F−1	kg·m2·A−2·s−4
${\displaystyle \,\varepsilon }$	سماحية	فاراد لكل متر	F/m	kg−1·m−3·A2·s4
Y ، G ، B	مسامحة، مواصلة، مطاوعة	سيمنز	S	Ω−1 = kg−1·m−2·s3·A2
${\displaystyle \,\sigma }$	موصلية	سيمنز في متر	S/m	kg−1·m−3·s3·A2
${\displaystyle \,\phi }$	تدفق مغناطيسي	فيبر	Wb	V·s = kg·m2·s−2·A−1
B	كثافة التدفق المغناطيسي أو المجال المغناطيسي	تيسلا	T	Wb/m2 = kg·s−2·A−1
H	شدة المجال المغناطيسي	أمبير لكل متر	A/m	A·m−1
${\displaystyle {\mathfrak {R}}}$	ممانعة	أمبير لكل فيبر	A/Wb	kg−1·m−2·s2·A2
L	محاثة مغناطيسية	هنري	H	Wb/A = V·s/A = kg·m2·s−2·A−2
${\displaystyle \,\mu }$	نفاذية	هنري على متر	H/m	kg·m·s−2·A−2
${\displaystyle \ \chi }$	قابلية مغناطيسية	(بلا أبعاد)	χ	-

هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.