Oqtay Tağıyev — Vikipediya

Bu məqaləni vikiləşdirmək lazımdır. Lütfən, məqaləni ümumvikipediya və redaktə qaydalarına uyğun şəkildə tərtib edin.

Bu məqalənin ensiklopedik tələblərə cavab vermədiyinə dair şübhələr var. Lütfən, ensiklopedikliyi təsdiq etmək üçün məqalənin mövzusuna uyğun tərəfsiz, etibarlı mənbələr əlavə edin. Əgər belə mənbələr göstərilməzsə, məqalə birləşdirilə, köçürülə, yönləndirilə və ya silinə bilər.

Oqtay Tağıyev
Doğum tarixi	10 fevral 1958 (66 yaş)
Doğum yeri	Azərbaycan Respublikası Bakı şəhəri
Vətəndaşlığı	Azərbaycan
Milliyyəti	Azərbaycanlı
Atası	Bahadir Tağıyev
Anası	Fatma Tağıyeva
Elm sahəsi	Bərk cisimlər fizikası
Elmi dərəcəsi	Fizika-riyaziyyat elmləri doktoru
Elmi adı	Professor
İş yeri	AMEA Fizika İnstitutu
Alma-mater	Bakı Dövlət Universiteti
Təhsili	Ali
Tanınır	Respublikada və xarici ölkələrdə

Oqtay Bahadir oğlu Tagıyev 1958-ci il fevralın 10-da Bakı şəhərində anadan olub, 1980-ci ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirmişdir. O. B. Tağıyev 1981–2007-ci illddə AMEA-nın Fizika İnstitutunda disertant, böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi vəzifələrində işləmişdir. Hal-hazırda O. B. Tağıyev Fizika İnstitutunda "Yarimkeçiricilərdə tarazlıqda olmayan elektron proseslərinin fizikası" laboratoriyasına rəhbərlik edir.

Elmi əsərlərinin sayı –242 Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı – 127 Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda(Web of Science Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı – 106 İstinadlarının sayı –571, h-index= 12(Google scholar) ; 292, h-index= 7 (THOMSON REUTERS)

Müəlliflik şəhadətlərinin və patentlərin sayı: –15

Elmi-pedaqoji fəaliyyəti: 5 il Azərbaycan Dövlət Nef və Sənaye Universitetində və 8 il Moskva Dövlət Universitetinin Bakı filialında pedaqoji fəaliyyət göstərir.

Dil bilikləri – ana dili, rus və ingilis dili

1. İlk dəfə olaraq çoxrəngli CaGa2S4 : Ce, Pr birləşməsinin fotolüminessensiya spektrində 469, 494,516, 539, 545, 610, 632, 653,742nm dalğa uzunluqlu maksimumlar müşahidə olunmuşdur. Göstərilmişdir ki, bu çoxrəngli fosfor 405–450nm intervalında şüalanan İnGaN göy işıq diodu ilə kombinasiya olunduqda ağ işıq mənbələri yaratmaq mümkündür.
2. Müəyyən edilmişdir ki, 10–300K temperatur intervalında InGaN(λhəy= 367nm) işıq dioduyla CaxBa1-xGa2S4:Eu kristalını həyacanlandırdıqda şualanma intensivliyinin yüksək dərəcədə sabitliyi müşahidə olunur. Məhlulun tərkibində Ca miqdarının x=0.1–0.5 intervalında dəyişməsi ilə əlaqədar FL spektrindəki maksimum 506 nm-dən 531nm-ə qədər dəyişir. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu birləşməsinin tərkibində Ca miqdarının artması kristal sahəsinin artmasına səbəb olur ki, bu da Eu ionunun 5d orbitalının parçalanmasına və 4f65d-4f7 keçidinin enerjisinin azalmasına gətirir.
3. İlk dəfə olaraq CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarının FL-nın spektrlərinə və intensivliyinə temperaturun təsiri öyrənilmişdir. Temperaturun 10K-dən 300K-ə qədər artması ilə FL-nın inteqral intensivliyi yalnız 13% azalır, spektrin energetik vəziyyəti yüksək stabillik nümayiş etdirir. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarında Ca-un miqdarının artması FL-nıntemperatur sürüşməsinin azalmasına gətirir, x³0.5 olduqda sürüşmə yoxdur.
4. İlk dəfə olaraq CaxBa1-xGa2S4:Eu2+, CaGa2S4:Er3+, CaGa2S4:Pr3+, EuGa2S4:Er3+ xalkogenid yarımkeçiricilərinin mikroovuntularında həyəcanlandırıcı şüanın gücünün FL-nın spektr və efektivliyinə təsiri öyrənilmişdir. Həyəcanlandırıcı şüanın gücünün geniş intervalında (102–107 Vt/sm2), şüalanma spektrinin forma və vəziyyətinin stabilliyi müşahıdə olunmuşdur. Müəyyən edilmişdir ki, CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ bərk məhlullarında və CaGa2S4:Er3+, CaGa2S4:Pr3+ birləşmələrində şüalanma rekombinasiyasının effektivliyinin doyma halı uyğun olaraq gücün — 2•104Vt/sm2, 100 Vt/см2 , 105Vt/sm2 və daha yüksək qiymətlərində nəzərə çarpır.
5. Geniş temperatur intervalında (4,2500K) effektiv şüalanan üçlü halkogenid yarımkeçiriciləri (CaGa2S4, Sr Ga2S4, Ba Ga2S4, BaAl2S4, CaSiO3 və s.) vakuumda və vakuumsuz alinma texnologiyasının fiziki, texnoloji əsasları işləmiş, onların strukturu tədqiq olunmuşdur.

1. Photoluminescence of Ce and Prcodoped calcium thriogallete. Physica Status Solidi (c)v..3., issne 8, p.2717–2721, 2006
2. Radiative properties of Eu2+ in BaGa2S4. J.ofPhyies and Chemistry of Solids(2005).p.1–8
3. Low- temperature termoluminescence in CaGa2S4:Eu2+. J. of Luminescence 128(2008) 1496–1500.
4. Photoluminescence of EuGa2Se4:Nd3+. Optics and photonics journal, 2012, 2, p.59–63
5. "Катодолюминесценция тио-и селеногаллатов бария и калция, легированных редкоземельными элементами" ЖурналПрикладнойСпектроскопии, т.80, № 2, с.221–226, 2013.
6. Structural and luminescence properties of CaxBa1-xGa2S4:Eu2+chalcogenide semiconductor solid solutions. Physika B – 2015, 478, p.58–62.
7. Excitation and Emission Spectra and Luminescence Kinetics of Ca(AlxGa1 ‒ x)2S4: Eu2+ Crystals. Crystallography Reports, 2015, Vol. 60, No. 6, pp. 924–928.
8. High photoluminescence stability of CaGa4O7:Eu3+ red phosphor in wide excitation intensity interval. Optical materials. 54, 2016, p.45–49.
9. Luminescence proporties of barium thio-and selenogallates doped with Eu, Ce, Eu+Ce . Japanese Journal Applied Physics, 2011, v.50, No.5, Issue 3, p.05FG02–1–05FG02–2.
10. Photoluminescence of CaxBa1-xGa2S4:Eu2+ solid solutions in wide excitation intensity and temperature intervals. J. of Luminescence , 2017, 181, p.121–127.

1. Moskva Dövlət Universitetinin Bakı filialında Beynəlxalq əlaqələr üzrə prorektor
2. Fizika İnstitutunda elmi şüranın üzvü
3. Bakı Dövlət Unversitetində fizika fakültəsinin nəzdində müdafiyə sürasının üzvü.

http://www.science.gov.az/forms/doktora-nauk-instituta-fiziki/844