Datei:FBH GaN High electron mobility transistor.jpg – Wikipedia

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Beschreibung

Beschreibung
English: GaN high electron mobility transistor
Datum
Quelle Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Urheber FBH/P.Immerz
Genehmigung
(Weiternutzung dieser Datei)

In diesem Bild wird eine Münze als Größenvergleich verwendet.

Bitte verwende als Größenvergleich keine Gegenstände wie Münzen, da jemand, der mit der speziellen Währung nicht vertraut ist, vermutlich keine Ahnung von der Größe des Vergleichsgegenstandes hat. Daher kann er auch die Größe des eigentlichen Objektes nicht schätzen. Gerade bei Münzen ist die Bekanntheit stark geografisch abhängig.

Als Vergleich kann ein Lineal dienen, das zusammen mit dem Gegenstand fotografiert wird. Oder man fügt mit einem Bildbearbeitungsprogramm eine Markierung ein, idealerweise im Metrischen System, da es am weitesten verbreitet ist.

Beispiele für gute Angaben: mit Lineal und mit eingezeichneter Größe.

Beispiele für schlechte Vergleiche: hier.

Münzdurchmesser als Referenz:

  • US-Dollar:
    • 1¢: 19,05 mm
    • 5¢: 21,21 mm
    • 10¢: 17,91 mm
    • 25¢: 24,26 mm
    • 50¢: 30,61 mm
    • $1: 26,5 mm
  • Kanadische Dollar:
    • 1¢: 19,05 mm
    • 5¢: 21,2 mm
    • 10¢: 18,03 mm
    • 25¢: 23,88 mm
    • 50¢: 27,13 mm
    • $1: 26,5 mm
    • $2: 28 mm
  • Pfund Sterling:
    • 1p: 20,32 mm
    • 2p: 25,91 mm
    • 5p: 18 mm
    • 10p: 24,5 mm
    • 20p: 21,4 mm
    • 50p: 27,3 mm
    • £1: 23,03–23,43 mm
    • £2: 28,4 mm
  • Euro:
    • 1c: 16,25 mm
    • 2c: 18,75 mm
    • 5c: 21,25 mm
    • 10c: 19,75 mm
    • 20c: 22,25 mm
    • 50c: 24,25 mm
    • €1: 23,25 mm
    • €2: 25,75 mm

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Kurzbeschreibungen

GaN High electron mobility Transistor aus dem Ferdinand-Braun-Institut

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0,125 Sekunde

55 Millimeter

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aktuell14:26, 20. Mai 2020Vorschaubild der Version vom 14:26, 20. Mai 20204.752 × 3.168 (8,26 MB)FBHPRUploaded a work by FBH/P.Immerz from Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik with UploadWizard

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