Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor – Wikipedia

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., kurz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET). Im Gegensatz zu konventionellen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) ist die Gate-Elektrode nicht durch eine Metallschicht, sondern durch eine Elektrolyt-Lösung realisiert.^[1]

EOSFETs werden beispielsweise zur Erkennung neuronaler Aktivitäten eingesetzt, beispielsweise in Brain-Computer-Interfaces.

1. ↑ Ping Wang, Qingjun Liu: Cell-Based Biosensors: Principles and Applications. Artech House, 2009, ISBN 978-1-59693-439-9, S. 111.