Gallium(III)-sulfid – Wikipedia

Kristallstruktur
_ Ga3+ 0 _ S2−
Allgemeines
Name	Gallium(III)-sulfid
Andere Namen	Digalliumtrisulfid
Verhältnisformel	Ga2S3
Kurzbeschreibung	geruchloser weißer bis gelber Feststoff[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 12024-22-5 EG-Nummer 234-692-2 ECHA-InfoCard 100.031.526 PubChem 16684827 ChemSpider 145436 Wikidata Q4445840
Eigenschaften
Molare Masse	235,63 g·mol−1
Aggregatzustand	fest[1]
Dichte	3,74 g·cm−3 (α)[2] 3,67 g·cm−3 (β)[2]
Schmelzpunkt	1255 °C (Vakuum)[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[1] Gefahr H- und P-Sätze H: 314​‐​318 P: 260​‐​303+361+353​‐​305+351+338​‐​301+330+331​‐​405​‐​501[1]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Gallium(III)-sulfid ist eine anorganische chemische Verbindung des Galliums aus der Gruppe der Sulfide.

Gallium(III)-sulfid kann durch Reaktion von Gallium mit Schwefel bei 1250 °C gewonnen werden.^[2]

${\displaystyle \mathrm {2\ Ga+3\ S\longrightarrow Ga_{2}S_{3}} }$

Ebenfalls möglich ist die Darstellung durch Reaktion von Gallium(III)-oxid oder Gallium(III)-hydroxid mit Schwefelwasserstoff.^[2]

${\displaystyle \mathrm {Ga_{2}O_{3}+3\ H_{2}S\longrightarrow Ga_{2}S_{3}+3\ H_{2}O} }$

${\displaystyle \mathrm {2\ Ga(OH)_{3}+3\ H_{2}S\longrightarrow Ga_{2}S_{3}+6\ H_{2}O} }$

Gallium(III)-sulfid ist ein weißer bis gelber^[2] geruchloser Feststoff, der mit Wasser reagiert.^[1] Er löst sich in wässrigen Säuren und hydrolysiert an Luft langsam mit Schwefelwasserstoff-Entwicklung.^[3]

${\displaystyle \mathrm {Ga_{2}S_{3}+4\ H_{2}O\longrightarrow 2\ GaO(OH)+3\ H_{2}S} }$

Die Verbindung tritt in zwei Formen auf. Die Niedertemperaturform α-Ga₂S₃ hat eine Zinkblendestruktur während die Hochtemperaturmodifikation β-Ga₂S₃ eine Wurtzitstruktur bildet. Die Umwandlungstemperatur zwischen den beiden Formen liegt zwischen 550 und 600 °C. Durch mehrere Tage Tempern bei 1000 °C entsteht schließlich als stabile Modifikation eine monokline Überstruktur des Wurtzit-Typs (Raumgruppe Cc (Raumgruppen-Nr. 9)Vorlage:Raumgruppe/9, Gitterparameter a = 11,11 Å, b = 6,395 Å, c = 7,021 Å, β = 121,2°) mit geordneter Verteilung der Metallatome.^[2][4][5]

Galliumsulfid wird in CIGS-Photovoltaikmodulen als Halbleiter verwendet.^[6]

1. ↑ ^{a b c d e f} Datenblatt Gallium(III) sulfide, 99.999% (metals basis) bei Alfa Aesar, abgerufen am 27. Februar 2014 (Seite nicht mehr abrufbar).
2. ↑ ^{a b c d e f} Georg Brauer, unter Mitarbeit von Marianne Baudler u. a. (Hrsg.): Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3., umgearbeitete Auflage. Band 1. Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, ISBN 3-432-02328-6, S. 857. 
3. ↑ A.J. Downs: Chemistry of Aluminium, Gallium, Indium, and Thallium. Springer, 1993, ISBN 0-7514-0103-X, S. 162 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche). 
4. ↑ J. Goodyear, W. J. Duffin, G. A. Steigmann: The unit cell of α-Ga₂S₃. In: Acta Crystallographica. 14, S. 1168–1170, doi:10.1107/S0365110X61003399.
5. ↑ C.Y. Jones, J.C. Bryan, K. Kirschbaum, J.G.Edwards: Refinement of the crystal structure of digallium trisulfide, Ga₂S₃. In: Zeitschrift für Kristallographie – New Crystal Structures, 216, 2001, S. 327–328, doi:10.1524/ncrs.2001.216.14.349.
6. ↑ Copper Indium Gallium Diselenide Website des Office of Energy Efficiency & Renewable Energy, US Department of Energy. Abgerufen am 23. März 2016