Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen – Wikipedia

Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen werden zur schnellen Identifikation von typischen elektrischen Bauelementen eingesetzt, die auf Halbleitern basieren.

Pro-Electron-Norm / EECA

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Die Pro-Electron-Norm, heute durch die EECA (European Electronic Component Manufacturers Association, dt. „Europäische Vereinigung der Hersteller elektronischer Bauelemente“) geführt, sieht dazu folgendes Schema vor:[1]

  • 1. Buchstabe: Halbleitermaterial (siehe Tabelle)
  • 2. Buchstabe: Halbleitertyp (siehe Tabelle)
  • 3. Buchstabe (optional): Anwendungsgebiet – nur angegeben, wenn kommerzielle/militärische höhere Anforderungen an das Bauteil in der Entwicklung berücksichtigt wurden. Häufig verwendet werden die Buchstaben R, S, T, V, W, X, Y oder Z, aber auch andere können vorkommen. Diese Zeichen bezeichnen keine speziellen Eigenschaften.

Es folgt eine 2- bis 4-stellige Ziffernfolge, die das Bauteil individualisiert und auf ein bestimmtes Datenblatt festlegt. Ist ein Halbleiter mit 3 Buchstaben gekennzeichnet, dann ist die folgende Ziffernkombination in der Regel zwei- oder dreistellig, andernfalls ist die folgende laufende Nummer drei- oder, selten, vierstellig. Daran können ggf. noch weitere Buchstaben- oder Ziffernkombinationen angehängt sein, die beispielsweise verschiedene Spannungsfestigkeits- oder Verstärkungswerte angeben.

Bedeutung des 1. Buchstaben
1. Zeichen Bedeutung
A Germanium
B Silizium
C Galliumarsenid
D Keramik
R Verbindungshalbleiter, z. B. Cadmiumsulfid
Bedeutung des 2. Buchstabens
2. Zeichen Bedeutung Wärmewiderstand
Sperrschicht-Gehäuse
(soweit nach Gehäusetyp notwendig)
Bemerkung
(weitere wichtige Eigenschaft)
A Diode
B Kapazitätsdiode
C Tonfrequenz-Transistor > 15 K/W
D Leistungs-Tonfrequenz-Transistor < 15 K/W
E Tunneldiode
F HF-Transistor > 15 K/W
G Hybride
H Diode magnetfeldabhängig
K HF-Transistor > 15 K/W
L Leistungs-HF-Transistor < 15 K/W
M Mischer
N Optokoppler
P Strahlungsempfänger Phototransistor, Photodiode
Q Strahlungserzeuger LED, Laser-Diode
R Thyristor oder Triac kleine Leistung
S Schalttransistor > 15 K/W
T Thyristor oder Triac
U Leistungs-Schalttransistor < 15 K/W
V Antenne
W Oberflächenwellenbauteil
X Diode
Y Diode
Z Z-Diode
  • JEDEC-Norm JESD370B (USA), 1N... für Dioden; 2N... für Transistoren
  • JIS-Norm (Japan), 2SA..., 2SB... für PNP- und 2SC..., 2SD... für NPN-Transistoren, 2SJ...,2SK... für MOS-Fets, 1S... für Dioden
  • Industriestandards: Viele Halbleiterhersteller sind dazu übergegangen, eigene, firmenspezifische Kennungen zu verwenden, Motorola führte beispielsweise MJ bzw. MJE für Transistoren ein.

Einzelnachweise

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  1. Pro Electron: European Type Designation Code System for Electronic Components. 16th ed. (Memento vom 14. Juli 2017 im Internet Archive) (Halbleiterbezeichnung nach Pro Electron)