Ecuación del diodo de Shockley , la enciclopedia libre

Curva característica del diodo rectificador 1N4001(se aplica al 1N4001 o el 1N4007)

La ecuación del diodo de Shockley es el modelo matemático más empleado para el estudio del diodo. Nombrada así en honor a William Bradford Shockley, la ecuación permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo es:

Donde:

ID es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.
IS es la corriente de saturación dependiente de la temperatura de juntura ().
VD es la diferencia de potencial en sus terminales.
n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
VT es la tensión térmica de juntura a 20 °C
T es la temperatura absoluta de juntura
kB es la constante de Boltzmann
q es la carga elemental del electrón .

Origen

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Shockley propone una ecuación para la tensión en una unión p-n en un extenso artículo publicado en 1949.[1]​ Luego encuentra una expresión para la corriente como una función de la tensión bajo algunas consideraciones, la cual se denomina ecuación ideal de Shockley para el diodo.[2]​ Él la llamó "una fórmula teórica de rectificación para dar máxima rectificación", con una nota al pie referenciando un trabajo de Carl Wagner, Physikalische Zeitschrift 32, pp. 641–645 (1931).

Bibliografía

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Referencias

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  1. William Shockley (Jul 1949). «The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors». The Bell System Technical Journal (en inglés) 28 (3): 435-489. . La ecuación 3.13 está en la página 454.
  2. Ibid. p. 456.