Tellurure d'étain — Wikipédia

	Tellurure d'étain
	__ Sn2+ __ Te2−; Structure cristalline du tellurure d'étain
Identification
Nom UICPA	Tellurure d'étain
Synonymes	Tellurure d'étain(II), tellurure stanneux
No CAS	12040-02-7
No ECHA	100.031.728
PubChem	6432000
SMILES
InChI
Apparence	Cristaux cubiques gris
Propriétés chimiques
Formule	SnTe
Masse molaire	246.31 g/mol
Propriétés physiques
T° fusion	790°C
Propriétés électroniques
Largeur de bande interdite	0,18 eV
Mobilité électronique	500 cm2 V−1 s−1
Cristallographie
Système cristallin	cubique
Symbole de Pearson
Classe cristalline ou groupe d’espace	Fm3m, (no 225)
Structure type	Halite
Paramètres de maille	0,63 nm
Composés apparentés
Autres cations	Monotellurure de carbone; Monotellurure de silicium; Tellurure de germanium; Tellurure de plomb
Autres anions	Oxyde d'étain(II); Sulfure d'étain(II); Séléniure d'étain
	Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
	modifier

Le tellurure d'étain est un composé d'étain et de tellure (SnTe) ; c'est un semi-conducteur à bande étroite IV-VI qui possède un gap direct de 0,18 eV. Il est souvent allié avec le plomb pour fabriquer du tellurure de plomb-étain, qui est utilisé comme matériau pour détecteur infrarouge.

Le tellurure d'étain est normalement un semi-conducteur de type p (semi-conducteur extrinsèque) à cause des lacunes d'étain et est un supraconducteur à basse température^[3].

SnTe existe sous trois formes cristallines. À basse température, lorsque la concentration des porteurs de trous est inférieure à 1.5x10²⁰ cm⁻³, le tellurure d'étain est sous la forme d'une phase rhomboédrique appelée α-SnTe. A température ambiante et pression atmosphérique, le tellurure d'étain est sous la forme d'une phase cristalline cubique de type NaCl, appelée β-SnTe. Sous une pression de 18 kbar, le β-SnTe se transforme en γ-SnTe, phase orthorhombique, groupe d'espace Pnma^[4]. Ce changement de phase est caractérisé par une augmentation de la densité de 11 % et de la résistance électrique de 360 % pour le γ-SnTe^[5].

Le tellurure d'étain est un matériau thermoélectrique. Des études théoriques indiquent que la performance du type n devrait être particulièrement bonne^[6].

Propriétés thermiques

Enthalpie standard de formation : - 14.6 ± 0.3 kcal/mole à 298 K
Enthalpie de sublimation : 52.1 ± 1.4 kcal/mole à 298 K
Capacité thermique : 12.1 + 2.1 x 10⁻³ T cal/deg
Énergie de dissociation pour la réaction SnTe(g)-> Sn(g)+ Te(g) : 80.6 ± 1.5 kcal/mole à 298 K
Entropie : 24.2 ± 0.1 cal/mole.deg
Enthalpie de dimérisation pour la réaction Sn₂Te₂->2SnTe(g) : 46.9 ± 6.0 kcal/mole^[7].

Applications

Généralement, SnTe est allié avec Pb de façon à obtenir de propriétés optiques et électroniques intéressantes. De plus, à cause du confinement quantique, la largeur de bande du SnTe augmente au-delà de celle du matériau non allié, couvrant la gamme de l'infrarouge moyen. Le matériau allié a été utilisé dans des photodétecteurs infrarouge moyen^[8] et des générateurs thermoélectriques^[9].

Références

↑ (en) David R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, Boca Raton, FL, CRC Press, 1998, 4–90 p. (ISBN 978-0-8493-0594-8)
↑ (en) O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz; SpringerMaterials; sm_lbs_978-3-540-31360-1_859 (Springer-Verlag GmbH, Heidelberg, 1998), http://materials.springer.com/lb/docs/sm_lbs_978-3-540-31360-1_859;
↑ (en) R. Hein et P. Meijer, « Critical Magnetic Fields of Superconducting SnTe », Physical Review, vol. 179, n^o 2,‎ 1969, p. 497 (DOI 10.1103/PhysRev.179.497, Bibcode 1969PhRv..179..497H)
↑ (en) Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I, vol. 41C, coll. « Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter », 1998, 1–8 p. (ISBN 978-3-540-64583-2, DOI 10.1007/10681727_862), « Tin telluride (Sn Te) crystal structure, lattice parameters »
↑ (en) Kafalas, J. A.; Mariano, A. N., High-Pressure Phase Transition in Tin Telluride. Science 1964, 143 (3609), 952-952
↑ (en) D. J. Singh, « THERMOPOWER OF SnTe FROM BOLTZMANN TRANSPORT CALCULATIONS », Functional Materials Letters, vol. 03, n^o 4,‎ 2010, p. 223–226 (DOI 10.1142/S1793604710001299, arXiv 1006.4151, S2CID 119223416)
↑ (en) Colin, R.; Drowart, J., Thermodynamic study of tin selenide and tin telluride using a mass spectrometer. Transactions of the Faraday Society 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673.
↑ (en) Lovett, D. R. Semimetals and narrow-bandgap semiconductors; Pion Limited: London, 1977; Chapter 7.
↑ (en) Das, V. D.; Bahulayan, C., Variation of electrical transport properties and thermoelectric figure of merit with thickness in 1% excess Te-doped Pb 0.2 Sn 0.8 Te thin films. Semiconductor Science and Technology 1995, 10 (12), 1638.

Liens externes

Portail de la chimie

[hand-1] (en) David R. Lide, Handbook of Chemistry and Physics, Boca Raton, FL, CRC Press, 1998, 4–90 p. (ISBN 978-0-8493-0594-8)

[test-2] (en) O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz; SpringerMaterials; sm_lbs_978-3-540-31360-1_859 (Springer-Verlag GmbH, Heidelberg, 1998), http://materials.springer.com/lb/docs/sm_lbs_978-3-540-31360-1_859;

[3] (en) R. Hein et P. Meijer, « Critical Magnetic Fields of Superconducting SnTe », Physical Review, vol. 179, n^o 2,‎ 1969, p. 497 (DOI 10.1103/PhysRev.179.497, Bibcode 1969PhRv..179..497H)

[4] (en) Non-Tetrahedrally Bonded Elements and Binary Compounds I, vol. 41C, coll. « Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter », 1998, 1–8 p. (ISBN 978-3-540-64583-2, DOI 10.1007/10681727_862), « Tin telluride (Sn Te) crystal structure, lattice parameters »

[5] (en) Kafalas, J. A.; Mariano, A. N., High-Pressure Phase Transition in Tin Telluride. Science 1964, 143 (3609), 952-952

[6] (en) D. J. Singh, « THERMOPOWER OF SnTe FROM BOLTZMANN TRANSPORT CALCULATIONS », Functional Materials Letters, vol. 03, n^o 4,‎ 2010, p. 223–226 (DOI 10.1142/S1793604710001299, arXiv 1006.4151, S2CID 119223416)

[7] (en) Colin, R.; Drowart, J., Thermodynamic study of tin selenide and tin telluride using a mass spectrometer. Transactions of the Faraday Society 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673.

[8] (en) Lovett, D. R. Semimetals and narrow-bandgap semiconductors; Pion Limited: London, 1977; Chapter 7.

[9] (en) Das, V. D.; Bahulayan, C., Variation of electrical transport properties and thermoelectric figure of merit with thickness in 1% excess Te-doped Pb 0.2 Sn 0.8 Te thin films. Semiconductor Science and Technology 1995, 10 (12), 1638.

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

[9]

v · m Composés du tellure
Tellurures, Te(-II)	Ag₂Te BeTe Bi₂Te₃ CdTe CdZnTe (CH₃)₂Te Cu₂Te GaTe Ga₂Te₃ GeTe H₂Te HgTe Hg_1-xCd_xTe Hg_1-xZn_xTe MnTe Na₂Te PbTe Rb₂Te Sb₂Te₃ SnTe ZnTe
Te(I)	TeI
Te(II)	TeBr₂ Te₂Br TeCl₂ TeO
Te(II,IV)	Te₃Cl₂
Te(IV)	TeBr₄ TeCl₄ TeF₄ TeI₄ TeO₂ H₂TeO₃ K₂TeO₃ Li₂TeO₃ Na₂TeO₃
Te(VI)	TeF₆ TeO₃ Te(HO)₆ HOTeF₅

Identification
Tellurure d'étain^[1]

__ Sn²⁺ __ Te²⁻ Structure cristalline du tellurure d'étain
Nom UICPA	Tellurure d'étain
Synonymes	Tellurure d'étain(II), tellurure stanneux
N^o CAS	12040-02-7
N^o ECHA	100.031.728
PubChem	6432000
SMILES	[Sn]=[Te] PubChem, vue 3D
InChI	InChI : vue 3D InChI=1S/Sn.Te
Apparence	Cristaux cubiques gris
Propriétés chimiques
Formule	SnTe
Masse molaire	246.31 g/mol
Propriétés physiques
T° fusion	790°C
Propriétés électroniques
Largeur de bande interdite	0,18 eV ^[2]
Mobilité électronique	500 cm² V⁻¹ s⁻¹
Cristallographie
Système cristallin	cubique
Symbole de Pearson	$cF8\,$
Classe cristalline ou groupe d’espace	Fm3m, (n^o 225) cubique Hermann-Mauguin : $F\ 4/m\ {\bar {3}}\ 2/m\,$ Hermann-Mauguin court : $Fm{\bar {3}}m\,$ Schoenflies : $O_{h}^{5}\,$
Structure type	Halite
Paramètres de maille	0,63 nm
Composés apparentés
Autres cations	Monotellurure de carbone Monotellurure de silicium Tellurure de germanium Tellurure de plomb
Autres anions	Oxyde d'étain(II) Sulfure d'étain(II) Séléniure d'étain

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
modifier