French
DeutschA-RAM
A-RAM (Advanced-Random Access Memory) este un tip de memorie DRAM bazată pe celule cu un singur tranzistor (1T-DRAM). Această tehnologie a fost dezvoltată de Noel Rodriguez și Francisco Gamiz la Universitatea din Granada, Spania, în colaborare cu Sorin Cristoloveanu de la Centrul Național Francez de Cercetări Științifice, Franța. Memoria A-RAM, spre deosebire de memoria DRAM convențională, nu necesită element de stocare a informațiilor (condensator de stocare). Fiecare bit este stocat într-un tranzistor special conceput.
Noutatea sa provine din partiționarea corpului tranzistorului în două regiuni ultra-subțiri distincte separate printr-un dielectric. Spațiile sunt limitate fizic în semicorpul superior și guvernează curentul de electroni care curge în semicorpul inferior. A-RAM poate fi folosită în sisteme înglobate de mică putere, deoarece prezintă definiție îmbunătățită a stării, retenție, scalabilitate și forme de undă simple pentru liniile de cuvinte și biți.[1][2]
Note
[modificare | modificare sursă]- ^ A-RAM memory cell: Concept and operation researchgate.net, October 2010. IEEE Electron Device Letters 31(9):972 - 974
- ^ Scientists design a revolutionary data storage device sciencedaily.com, University of Granada, November 22, 2012
Bibliografie
[modificare | modificare sursă]- Santosh K. Kurinec, Krzysztof Iniewski: Nanoscale Semiconductor Memories, CRC Press, 2017, ISBN: 9781351832083
Vezi și
[modificare | modificare sursă]Legături externe
[modificare | modificare sursă]- A-RAM, the ultimate solution for volatile storage
- Novel capacitor-less DRAM memory, Noel Rodriguez, Sorin Cristoloveanu și Francisco Gamiz (5 octombrie 2009). "A-RAM: Novel capacitor-less DRAM memory". 2009 International SOI Conference. IEEE
- A-RAM Memory Cell: Concept and Operation, Noel Rodriguez, Sorin Cristoloveanu and Francisco Gamiz (septembrie 2010)
| |||||||||||||||||||||||