Крёмер, Герберт — Википедия

Герберт Крёмер
нем. Herbert Krömer
Крёмер в 2008 году
Дата рождения	25 августа 1928(1928-08-25)
Место рождения	Веймар, Германия
Дата смерти	8 марта 2024(2024-03-08)[1] (95 лет)
Страна	Германия  США
Род деятельности	физик, преподаватель университета
Научная сфера	электротехника, физика[2], теоретическая физика[2], физика твёрдого тела[2] и полупроводник[2]
Место работы	Калифорнийский университет в Санта-Барбаре Колорадский университет в Боулдере
Альма-матер	Гёттингенский университет Йенский университет
Научный руководитель	Фриц Саутер[вд] и Ричард Бекер[3]
Награды и премии	Нобелевская премия по физике (2000)
Медиафайлы на Викискладе

Герберт Крёмер (нем. Herbert Krömer; 25 августа 1928^[4][5][…], Веймар, Тюрингия^[вд][6] — 8 марта 2024^[1]) — немецкий физик, лауреат Нобелевской премии по физике. Половина премии за 2000 год, совместно с Жоресом Алфёровым, «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотной и опто-электронике». Вторая половина премии была присуждена Джеку Килби «за вклад в изобретение интегральных схем».

Иностранный член Национальной инженерной академии США (1997)^[7][8], иностранный член Национальной академии наук США (2003)^[9].

После окончания курсов подготовки к университету (Abitur), Герберт Крёмер приступает к изучению физики в Йенском университете, где помимо прочего посещал лекции Фридриха Гунда. Во время действия блокады Берлина Крёмер находился на практике в Берлине и воспользовался возможностью для побега на запад. После этого он продолжил обучение в Гёттингенском университете. В 1952 году он защитил диссертацию в области теоретической физики по теме эффекта горячих электронов в транзисторах. После этого Крёмер работал в качестве «прикладного теоретика», как он сам себя называл, в техническом центре радиовещания немецкой федеральной почты. В 1954 году он переехал в США и работал там в различных исследовательских учреждениях в Принстоне и Пало Альто. С 1968 по 1976 год Крёмер преподаёт в университете Колорадо в качестве профессора, а затем перешёл в Калифорнийский университет в Санта-Барбаре.

Умер 8 марта 2024 года в возрасте 95 лет^{[10][11][12][13]}.

Герберт Крёмер никогда не работал в «модных» областях физики. Он предпочитал области, значение которых становилось ясным только спустя много лет. Например, он опубликовал в 1950-х годах работы об основах биполярного транзистора на основе гетероструктур, который мог работать в гигагерцовом диапазоне частот. В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах — основе полупроводниковых лазеров. Обе эти работы на много лет опередили своё время, и нашли применение только в 1980-х годах, с развитием эпитаксии.

Во время пребывания в Санта Барбаре он сместил свои интересы в экспериментальную область. Например, в 1970-е годы Крёмер участвовал в разработке молекулярной эпитаксии, причём он изучал новые комбинации материалов, такие как GaP и GaAs на кремниевой подложке. После 1985 года интересы Крёмера сместились к комбинациям InAs, GaSb и AlSb.

В 2000 году ему была присуждена Нобелевская премия по физике, совместно с Жоресом Алфёровым и Джеком Килби.

• Награда имени Дж. Дж. Эберс, от IEEE, 1973
• Золотая медаль Генриха Велкера^[нем.] от международного симпозиума по GaAs и похожим соединениям, 1982
• Заслуженный лектор от общества электронных устройств IEEE , 1983
• Награда Джэка Мортона от IEEE, 1986
• Премия Гумбольдта, 1994
• Нобелевская премия по физике, 2000

В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО)^[14][15][16].

• Г. Крёмер. «Квазиэлектрическое поле и разрывы зон. Обучение электронов новым фокусам». Нобелевская лекция. Успехи физических наук, том 172, выпуск 9, сентябрь 2002
• Информация с сайта Нобелевского комитета (англ.)
• Домашняя страница Герберта Крёмера на сайте Калифорнийского университета в Санта-Барбаре (англ.)