Плотность состояний — Википедия
Плотность состояний — величина, определяющая количество энергетических уровней в единичном интервале энергий на единицу объёма в трёхмерном случае (на единицу площади — в двумерном случае). Является важным параметром в статистической физике и физике твёрдого тела. Термин может применяться к фотонам, электронам, квазичастицам в твёрдом теле и т. п. Применяется только для одночастичных задач, то есть для систем, где можно пренебречь взаимодействием (невзаимодействующие частицы) или добавить взаимодействие в качестве возмущения (это приведёт к модификации плотности состояний).
Определение
[править | править код]Чтобы вычислить число состояний частицы в единичном энергетическом интервале, сначала найдём плотность состояний в обратном пространстве (пространство волновых векторов, оно же -пространство). «Расстояние» по между состояниями определяется граничными условиями.
Для свободных электронов и фотонов в области или для электронов в кристаллической решётке с параметром решётки используем периодические граничные условия Борна — фон Кармана для волновой функции: . В таком случае и для возможных значений -компоненты волнового вектора получается соотношение , где — любое целое число. Расстояние между соседними (то есть -м и -м) состояниями будет
- .
Аналогичные выражения можно записать и для других декартовых координат (, ). Набор доступных состояний представляет собой бесконечный массив точек по нескольким (скольким именно — зависит от размерности) «направлениям» -пространства.
Количество состояний , доступных для частицы с модулем волнового вектора меньше заданного значения , равно объёму «-мерного шара радиусом », делённому на объём, приходящийся на одно состояние:
- ,
где — вырождение уровня (обычно спиновое вырождение, равное 2). Под понимается произведение , в котором число сомножителей определяется размерностью. Для трехмерной (3D) ситуации интеграл равен , а .
Чтобы найти плотность состояний в -пространстве, выражение для нужно продифференцировать:
- .
Для перехода к плотности состояний по энергии необходимо знать закон дисперсии для частицы, то есть уметь выразить и в терминах и . Тогда
- .
Скажем, для свободного электрона , , где — масса, — редуцированная постоянная Планка, (м3) — объём. С небольшими изменениями выражения применимы и при неодинаковости массы или размеров по разным направлениям. Результаты для приведены в таблице следующего раздела.
Для плотности состояний также существует формальное соотношение иного вида — через дельта-функцию:
- ,
где индекс отвечает некоторому состоянию дискретного или непрерывного спектра. При замене суммирования интегрированием по фазовому пространству используется правило
- ,
где — пространственные координаты.
Примеры
[править | править код]В таблице представлены выражения для плотности состояний электронов с параболическим законом дисперсии[1]:
Объём | Объём для одного состояния | Плотность состояний | |
1 | 1 |
где — индекс подзоны размерного квантования, — функция Хевисайда. Формулы описывают случай, когда квантование по одному или нескольким направлениям связано с некоторым ограничивающим потенциалом.
Все формулы для , приведённые в самой правой колонке, имеют размерность Дж−1м−3 и структуру «некое выражение , делённое на произведение линейных размеров области квантования» — этих размеров столько, по скольким координатам ограничено движение. Если такое деление не производить (убрать все ), то останется с размерностью [] = Дж−1м−2, Дж−1м−1 и Дж−1, соответственно, для двумерного (2D), одномерного (1D) и нульмерного (0D) случаев. Под «плотностью состояний», в зависимости от контекста, может подразумеваться не только , но и .
Использование
[править | править код]Плотность состояний фигурирует в выражениях для расчёта концентрации частиц при их известном энергетическом распределении. Для фермионов, каковыми являются электроны, в условиях равновесия это распределение соответствует статистике Ферми — Дирака, а для бозонов, в том числе фотонов, — статистике Бозе — Эйнштейна.
Скажем, концентрации электронов (дырок) в зоне проводимости (валентной зоне) полупроводника в равновесии рассчитываются как
- ,
где — функция Ферми, () — энергия дна зоны проводимости (потолка валентной зоны). В качестве здесь должна быть подставлена формула для объекта соответствующей размерности: для толщи материала (и тогда концентрации будут в м−3), для квантовой ямы (и тогда концентрацию получим в м−2), для квантовой проволоки (концентрацию получим в м−1) или (случай квантовой точки, получим не концентрацию, а число штук частиц).
Примечания
[править | править код]- ↑ *Harmans, C. Mesoscopic physics: an introduction . OpenCourseWare TU Delft (2003). Дата обращения: 14 июня 2018. Архивировано 14 июня 2018 года.
Ссылки
[править | править код]- Britney Spears' Guide to Semiconductor Physics Архивная копия от 14 мая 2011 на Wayback Machine