Тауц, Ян — Википедия
Ян Тауц | |
---|---|
чеш. Jan Tauc | |
![]() | |
Дата рождения | 15 апреля 1922 |
Место рождения | Пардубице, Чехословакия |
Дата смерти | 28 декабря 2010 (88 лет) |
Место смерти | Уошугал, США |
Страна | Чехословакия, США |
Род деятельности | физик |
Научная сфера | физика полупроводников |
Место работы | Институт технической физики ЧСАН (1952—1969) Карлов университет (1964—1969) Bell Labs (1969—1970) Брауновский университет (1970—1992) |
Альма-матер | Чешский технический университет |
Учёная степень | доктор технических наук (1949) |
Награды и премии |
Ян Тауц (чеш. Jan Tauc, 15 апреля 1922, Пардубице, Богемия, Чехословакия — 28 декабря 2010, Уошугал, Вашингтон, США) — чехословацкий и американский физик, пионер физики полупроводников. Почётный профессор Брауновского университета.
Биография
[править | править код]Ян Тауц родился в 1922 году в чехословацком городе Пардубице. Его отец работал бухгалтером на почте. В 1932 году он вместе с семьёй переехал в Опаву. В 1938 году регион был аннексирован Гитлером, и Ян со своим отцом были вынуждены покинуть город. Они обосновались в Брно, где Ян получил стипендию на три года обучения во французском Ниме. Однако уже на следующий год он был вынужден вернуться к семье, поскольку немецкие войска оккупировали Брно. Здесь он и окончил школу, однако все университеты были закрыты.
После того, как началась Вторая мировая война, Яну было позволено посещать двухлетнюю профессиональную школу, одновременно работая на оружейном заводе. В свободное время Тауц занимался самообразованием в области математики и физики. После окончания войны университеты снова открылись, и Ян за два года получил диплом инженера-электрика, а в 1949 году получил степень доктора технических наук в Чешском техническом университете.
Узнав об открытии транзистора, Тауц решил заняться изучением полупроводников. Используя трофейный немецкий германий высокой степени очистки, Тауц и Элмар Франк выпустили первую в Чехословакии партию точечно-контактных транзисторов — до того, как Bell Labs опубликовала сведения о своей технологии.[1] В 1952 году была создана Чехословацкая академия наук, и Ян Тауц был приглашён возглавить отделение полупроводников в Институте технической физики ЧСАН. Он занимал эту должность до 1969 года. Одновременно с 1964 по 1969 годы он являлся профессором Карлова университета.
Ян Тауц интересовался фотоэлектрическими, термоэлектрическими и оптическими свойствами кристаллических полупроводников. Совместно с Эмилем Антончиком и Антонином Абрахамом он раскрыл роль спин-орбитального расщепления в диэлектрической функции. В середине 1960-х он начал заниматься аморфными полупроводниками. Его статья 1966 года, написанная совместно с румынскими учёными Раду Григоровичи и Ана Ванку и посвящённая электронным и оптическим свойствам аморфного германия[2], стала базовой работой в области полуэмпирических исследований аморфных структур и привела к возникновения термина "щель Тауца[англ.]".
Весной 1969 года, несмотря на ввод советских войск в Чехословакию, Ян Тауц уехал из страны и провёл несколько месяцев в Парижском университете. В июне он со своей семьёй оказался в лаборатории Белла, в США, где намеревался остаться на год для проведения совместных исследований. Однако уже в октябре Тауц получил письмо из Чехословацкой академии наук, которая требовала его немедленного возврата под угрозой уголовного преследования. Поразмыслив, Тауц решил не возвращаться и стать эмигрантом. В следующем году он получил позицию профессора в университете Брауна, которую занимал в течение 22 лет до 1992 года. На родине он был заочно приговорён к пяти годам тюрьмы и не мог вернуться даже для того, чтобы похоронить своих родителей, трагически погибших в конце 1970-х в автокатастрофе.
В декабре 1987 года совместно со своими коллегами по университету Хамфри Марисом и Кристианом Томсеном запатентовал новый метод изучения свойств тонких плёнок.
Награды
[править | править код]- 1982 — Премия Франка Исаксона, Американское физическое общество
- 1988 — Премия Дэвида Адлера, Американское физическое общество
Названы в его честь
[править | править код]Библиография
[править | править код]- Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Издательство иностранной литературы, 1962, 256 с.
- Тауц Я. Оптические свойства полупроводников. М.: Мир, 1967, 74 с.
Примечания
[править | править код]- ↑ Lojek, B. History of semiconductor engineering. — Springer, 2007. — P. 36. — 387 p. — ISBN 9783540342571. Архивировано 28 октября 2020 года.
- ↑ J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Optical Properties and Electronic Structure of Amorphous Germanium (нем.) // physica status solidi (b). — 1966. — Bd. 15, H. 2. — S. 627–637. — doi:10.1002/pssb.19660150224. Архивировано 25 декабря 2022 года.
Литература
[править | править код]- Manuel Cardona, Sidney Nage, Richard Zallen, and Karel Závěta. Jan Tauc (англ.) // Physics Today. — 2011. — Vol. 64. — P. 64. — doi:10.1063/PT.3.1177. (недоступная ссылка)
Ссылки
[править | править код]- Jan Tauc (англ.). Американский институт физики. Дата обращения: 6 июля 2011. Архивировано 14 мая 2012 года.