DIMM — Википедия

три разъёма на плате для подключения модулей DIMM (память SDRAM)
DIMM

DIMM (англ. Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) — форм-фактор модулей памяти DRAM. Данный форм-фактор пришёл на смену форм-фактору SIMM. Основным отличием DIMM от предшественника является то, что контакты, расположенные на разных сторонах модуля, являются независимыми, в отличие от SIMM, где симметричные контакты, расположенные на разных сторонах модуля, замкнуты между собой и передают одни и те же сигналы. Кроме того, DIMM реализует функцию обнаружения и исправления ошибок в 64 (без контроля чётности) или 72 (с контролем по чётности или коду ECC) линиях передачи данных, в отличие от SIMM c 32 линиями.

Конструктивно представляет собой модуль памяти в виде длинной прямоугольной платы с рядами контактных площадок с обеих сторон вдоль её длинной стороны, устанавливаемую в разъём подключения и фиксируемую по обоим её торцам защёлками. Микросхемы памяти могут быть размещены как с одной, так и с обеих сторон платы.

В отличие от форм-фактора SIMM, используемого для асинхронной памяти FPM и EDO, форм-фактор DIMM предназначен для памяти типа SDRAM. Изготавливались модули, рассчитанные на напряжение питания 3,3 В и (реже) 5 В. Однако впервые в форм-факторе DIMM появились модули с памятью типа FPM, а затем и EDO. Ими комплектовались серверы и брендовые компьютеры.

Модуль SO-DIMM предназначен для использования в ноутбуках или в качестве расширения памяти на плате, поэтому отличается уменьшенным габаритом.

Модули SO-DIMM

В дальнейшем в модули DIMM стали упаковывать память типа DDR, DDR2, DDR3 и DDR4, отличающуюся повышенным быстродействием.

Появлению форм-фактора DIMM способствовало появление процессора Pentium, который имел 64-разрядную шину данных. В профессиональных рабочих станциях, таких, как SPARCstation, такой тип памяти использовался с начала 1990-х годов. В компьютерах общего назначения широкий переход на этот тип памяти произошёл в конце 1990-х, примерно во времена процессора Pentium II.

В форм-факторе DIMM могут изготавливаться массивы памяти, реализующие энергонезависимое хранение, называемые NVDIMM[англ.]. Они могут быть реализованы путём добавления автономного источника питания и функций автообновления к памяти DRAM (NVDIMM-N) или на базе флеш-памяти NAND (NVDIMM-F). Исследуются варианты реализации NVDIMM на базе иных типов памяти (NVDIMM-P)[1][2].

Разновидности

[править | править код]

Существуют следующие конструктивно и электрически несовместимые друг с другом типы DIMM, в том числе SO-DIMM (от англ. Small Outline, компактные модули, используемые, в частности, в ноутбуках):

SDRAM SDR

SDRAM

DDR

SDRAM

DDR2

SDRAM

DDR3

SDRAM

DDR4

SDRAM

FPM DRAM

и EDO DRAM

FB-DIMM

DRAM

DIMM 100-pin 168-pin 184-pin 240-pin 288-pin 168-pin 240-pin
SO-DIMM N/A 144-pin 200-pin 204-pin 260-pin 72-pin/144-pin N/A
MicroDIMM N/A 144-pin 172-pin 214-pin N/A N/A
  • 72-pin SO-DIMM (несовместима с 72-pin SIMM) — используется для FPM DRAM и EDO DRAM
  • 100-pin DIMM — используется для принтеров SDRAM
  • 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (иногда также для EDO RAM) в портативных компьютерах
  • 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах)
  • 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM
  • 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM
  • 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
  • 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM
  • 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM
  • 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM
  • 260-pin SO-DIMM — используется для DDR4 SDRAM
  • 288-pin DIMM — используется для DDR4 SDRAM
  • FB-DIMM
  • RDRAM
  • Регистровая память
  • UniDIMM[англ.] (сокр. от Universal DIMM) — спецификация модулей памяти с двойным расположением вывода (DIMM), модули могут быть заполнены чипами DDR3 или DDR4 без поддержки какой-либо дополнительной логики управления памятью; соответственно, сам контроллер памяти компьютера должен поддерживать стандарты памяти DDR3 и DDR4. Спецификация UniDIMM была создана Intel для ее микроархитектуры Skylake, чей интегрированный контроллер памяти (IMC) поддерживает как DDR3 (точнее, низковольтный вариант DDR3L), так и технологии памяти DDR4.
  • перспективные CAMM[англ.] (Compression Attached Memory Module)[3]

Примечания

[править | править код]
  1. Архивированная копия. Дата обращения: 6 мая 2022. Архивировано 22 марта 2022 года.
  2. JEDEC Announces Support for NVDIMM Hybrid Memory Modules | JEDEC. Дата обращения: 26 ноября 2016. Архивировано 24 апреля 2016 года.
  3. Настольные компьютеры начнут переводить на компактные модули оперативной памяти CAMM2 Архивная копия от 18 января 2024 на Wayback Machine // Ferra.ru, янв 2024