Универсальный флеш-накопитель — Википедия

Универса́льный флэш-накопи́тель (англ. Universal Flash Storage, UFS) — общая спецификация флэш-накопителей для цифровых фотоаппаратов, сотовых телефонов и потребительских видов электроники[1]. Использование этого стандарта может привести к более высокой скорости передачи данных и повышению надёжности накопителей флэш-памяти, уменьшая при этом рыночную неразбериху и многообразие адаптеров для множества видов карт[2].

Предложенная спецификация поддержана ведущими фирмами в индустрии потребительской электроники, такими как Nokia, Sony Ericsson, Texas Instruments, STMicroelectronics, Samsung и Micron Technology[3]. Электрическим интерфейсом для UFS является стандарт M-PHY[англ.], опубликованный MIPI Alliance[англ.]. M-PHY позволяет повысить скорость передачи данных, снизить потребление энергии и уменьшить сложность интеграции в систему по сравнению с картами SD[4].

Стандарт UFS версии 1.0 был опубликован JEDEC Solid State Technology Association в 2011 году. В июле 2012 года был опубликован стандарт версии UFS 1.1, а в сентябре 2013 года был опубликован стандарт версии UFS 2.0. Предписывалась скорость обмена по одной линии интерфейса на уровне 600 Мбайт/с, содержащий ряд улучшений для увеличения пропускной способности, функции безопасности, а также изменения, позволяющие снизить потребление энергии[5].

В апреле 2016 вместо версии UFS 2.0 вышла версия UFS 2.1, в которую внесены следующие важные обновления: предложен индикатор «здоровья устройства», повышение надёжности операций, связанных с записью, добавлена возможность безопасного удалённого обновления микрокода прошивки и введение приоритета команд[6].

В январе 2018 была принята спецификация UFS 3.0, в этой версии стандарта для этого предусмотрели два «автомобильных» нововведения. Во-первых, для контроллеров предусмотрен расширенный рабочий температурный режим от −40 °C до 105 °C. Во-вторых, введён режим обновления команд, что призвано улучшить механизмы контроля концентраторов и способствовать улучшению надёжности в работе с данными. Всего шина UFS содержит две линии с последовательной передачей данных. Скорость интерфейса в такой конфигурации предполагала передачу данных на уровне 1,2 Гбайт/с. В версии UFS 3.0 скорость обмена увеличена до 11,6 Гбит/с на линию или до 2,4 Гбайт/с на обе линии интерфейса[7].

В январе 2019 Toshiba представила первую в мире флеш-память с шиной UFS 3.0 для смартфонов и VR[8].

В марте 2020 Samsung Electronics начал выпуск чипов памяти eUFS 3.1 на 512 ГБ[9][10].

В мае 2022 Samsung представила флеш-память UFS 4.0 объёмом до 1 ТБ и скорость до 4200 Мбайт/с[11][12].

В августе 2022 Samsung объявила о массовом производстве флеш-памяти UFS 4.0[13].

30 марта 2016 JEDEC опубликовал стандарт UFS Card Extension версии 1.0[14][15].

7 июля 2016 года Samsung представила первые карты UFS на 32, 64, 128, и 256 ГБ[16][17].

30 января 2018 JEDEC опубликовал стандарт UFS Card Extension версии 1.1[18].

Размер карт практически такой же, как у microSD: 15 × 11 × 0,74 мм, но они различаются расположением контактов[15]. Форматы карты не совместимы друг с другом, но Samsung уже разработала дизайн слота, который позволит использовать карты обоих форматов[19].

Примечания

[править | править код]
  1. Nokia, Others Back Mobile Memory Standard. PC World. Архивировано из оригинала 9 февраля 2008 года.
  2. Mobile Tech Companies Work On Flash Memory Standard — Flash Memory — InformationWeek
  3. Flash memory makers propose common card. Дата обращения: 19 июня 2008. Архивировано 3 марта 2016 года.
  4. Stephen Shankland. Want a new flash memory card format? CNet (14 января 2011). Дата обращения: 24 ноября 2013. Архивировано 3 декабря 2013 года.
  5. UFS (Universal Flash Storage) | JEDEC. www.jedec.org. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
  6. JEDEC обновляет стандарт UFS: акценты на безопасность и функциональность. 3DNews - Daily Digital Digest. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
  7. UFS 3.0: Все спецификации. 3dnews.ru. Дата обращения: 31 января 2018. Архивировано 4 сентября 2018 года.
  8. Toshiba: Представила первую в мире UFS 3.0 флеш-память. 3dnews.ru. Дата обращения: 23 января 2019. Архивировано 3 февраля 2019 года.
  9. Samsung начал массовый выпуск чипов памяти eUFS 3.1 на 512 ГБ для своих флагманов. Хабр. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
  10. Samsung Begins Mass Production of the Fastest Storage for Flagship Smartphones (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 19 мая 2022 года.
  11. Samsung представила флеш-память UFS 4.0 для смартфонов — объём до 1 Тбайт и скорость до 4200 Мбайт/с. 3DNews - Daily Digital Digest. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
  12. Samsung Develops First UFS 4.0 Storage Solution (англ.). Samsung Semiconductor Global. Дата обращения: 7 августа 2022.
  13. Xiaomi 13 получит первым: Samsung объявляет о массовом производстве флеш-памяти UFS 4.0. iXBT.com. Дата обращения: 7 августа 2022.
  14. JEDEC Publishes Universal Flash Storage (UFS) Removable Card Standard (30 марта 2016). Дата обращения: 29 октября 2018. Архивировано 8 апреля 2021 года.
  15. 1 2 Карточек памяти стало больше: представлены карты памяти UFS. 3dnews (2 апреля 2016). Дата обращения: 29 октября 2018. Архивировано 29 октября 2018 года.
  16. В Samsung созданы первые в мире высокоскоростные карты памяти UFS. 3dnews (7 июля 2016). Дата обращения: 1 ноября 2018. Архивировано 1 ноября 2018 года.
  17. Samsung Introduces World’s First Universal Flash Storage (UFS) Removable Memory Card Line-up, Offering up to 256-Gigabyte (GB) Capacity (англ.). news.samsung.com. Дата обращения: 7 августа 2022. Архивировано 7 августа 2022 года.
  18. JEDEC Publishes Universal Flash Storage (UFS & UFSHCI) Version 3.0 and UFS Card Extension Version 1.1 (30 января 2018). Дата обращения: 29 октября 2018. Архивировано 21 января 2021 года.
  19. Samsung уже разработала дизайн слота, который позволит использовать и карты памяти microSD, и новые карты формата UFS. ixbt.com (12 июля 2016). Дата обращения: 7 ноября 2018. Архивировано 7 ноября 2018 года.