相變化記憶體 - 维基百科,自由的百科全书
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计算机存储器类型 |
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易失性存储器 |
RAM |
发展中 |
历史上 |
非易失性存储器 |
ROM |
非揮發性隨機存取記憶體 |
早期非易失性随机存取存储器 |
磁式 |
光學式 |
发展中 |
历史上 |
相變化記憶體(英語:Phase-change memory,英語:Ovonic Unified Memory,英語:Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存储器裝置。PRAM使用含一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)製成,目前的主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是,經由加熱可以改變它的狀態,成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃記憶體的技術之一。
技術內容
[编辑]限制
[编辑]發展狀況
[编辑]Intel在2003年開始進行研發。
目前研究的單位有 Intel,Samsung,Macronix,Advanced Memory Corp.
外部連結
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