Ionel Solomon — Wikipédia
Président Société française de physique | |
---|---|
- | |
Naissance | |
---|---|
Décès | |
Nationalité | |
Formation | |
Activités | Enseignant-chercheur (- |
A travaillé pour | |
---|---|
Membre de | |
Distinctions |
Ionel Solomon, né le à Bucarest (Roumanie) et décédé le à Boulogne-Billancourt[1], est un physicien français, membre de l'Académie de sciences depuis 1988[2] et membre fondateur en 2000 de l'Académie des technologies, directeur de recherche émérite au CNRS, ancien professeur de l'École polytechnique. Il a été invité dans diverses universités (Liverpool, Harvard, Tokyo).
Biographie
[modifier | modifier le code]Ionel Solomon est un ancien élève de l'École Polytechnique (promotion 1949) et docteur ès sciences.
Sa carrière scientifique a été consacrée à la physique du solide, avec des travaux dans le domaine de la résonance magnétique et des semi-conducteurs photovoltaïques. En résonance magnétique nucléaire (RMN), ses travaux pionniers ont permis de jeter les bases du mécanisme de l'interaction dipolaire spin-spin, connue sous le nom d'effet Overhauser nucléaire (NOE). Cette formalisation porte aujourd'hui le nom d'« équations de Solomon »[3].
Il a fait une partie de sa carrière au sein d'entreprises privées : directeur scientifique de Solems[4], président du conseil scientifique de Phototronics (en).
Publications (liste sélective)
[modifier | modifier le code]- Résonance magnétique nucléaire (1955-1965) : Découverte de la relaxation dans un système de spins couplés. Magnétomètre terrestre. Détection bolométrique de la résonance.
- Physique des semiconducteurs (1966-1976) : L'effet Hall “extraordinaire”. Pompage optique dans les solides. Découverte du transport dépendant des Spins.
- Silicium amorphe et photovoltaïque (1977-1987) : transport et optique dans le silicium amorphe. Photopiles solaires. Nouveaux matériaux amorphes[5],[6],[7],[8].
- Recherche matériaux (depuis 1989) : fibres carbone, fibres SiC et SiCN. Photoluminescence et électroluminescence dans les semiconducteurs et dispositifs[9].
Prix et distinctions
[modifier | modifier le code]- 1958 : Grand Prix de la Recherche (avec Anatole Abragam et Jean Combrisson).
- 1963 : Médaille d'argent du CNRS[10]
- 1969 : Prix Félix-Robin de la Société française de physique (SFP).
- 1972 : Prix Holweck (Institute of Physics et SFP).
- 1973-1974 : Président de la Société française de physique.
- 1981 : Prix Ivan Peychès de l'Académie des Sciences.
- 1986 : Diplôme du Consejo Cultural Mundial (Mexique), pour la physique.
Ionel Solomon était officier de la Légion d'Honneur, chevalier de l'Ordre national du Mérite et des Palmes académiques.
Liens externes
[modifier | modifier le code]
- Ressources relatives à la recherche :
- Notice dans un dictionnaire ou une encyclopédie généraliste :
Notes et références
[modifier | modifier le code]- Relevé des fichiers de l'Insee
- « Ionel SOLOMON - Membre de l'Académie des sciences », sur academie-sciences.fr, (consulté le ).
- Relaxation Processes in a System of Two Spins, Phys. Rev. 9: 559 (1955).
- Historique de la société Solems : I.Solomon la fonde en 1981
- I. Solomon, M.P. Schmidt, H. Tran Quoc. Selective low-power plasma decomposition of silane-methane mixtures for the preparation of methylated amorphous silicon. Phys. Rev. B38, 9895 (1988)
- I. Solomon, B. Drevillon, H. Shirai, N. Layadi. Plasma deposition of microcrystalline silicon: the selective etching model., J. Non-crystalline Solids, 164-166, p. 989 (1993).
- K. Rerbal, F. Jomard, J.-N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Visible luminescence of porous amorphous Si(1-x) Cx:H due to selective dissolution of silicon. Appl. Phys. lett. 83, p. 45 (2003)
- K. Kerbral, J.N. Chazalviel, F. Ozanam, I. Solomon. Temperature dependence of photoluminescence in amorphous Si1-xCx:H films. Eur. Phys. J. B51, p. 61 (2006)
- I. Solomon. "Amorphous Semiconductors", In Topics in Applied Physics, Ed. Springer Verlag, Berlin (1979)
- Académie des technologies, « Annuaire Académiciens - Profil de Ionel Solomon », sur academie-technologies.fr (consulté le ).