6微米制程 - 维基百科，自由的百科全书

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学
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6 µm制程是半导体制造制程的一个水平，大约于1974年左右达成。^[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔所完成。

• 于1974年推出的Intel 8080CPU使用这个制程。^[3]

1. ^ Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）. 
2. ^ Myslewski, R. Happy 40th birthday, Intel 4004!. TheRegister. 2011-11-15 [2016-07-22]. （原始内容存档于2015-04-27）. 
3. ^ 存档副本. [2016-07-22]. （原始内容存档于2015-04-27）. 

• Brief timeline of microprocessor development（页面存档备份，存于互联网档案馆）

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